fisica de semi
Páginas: 7 (1665 palabras)
Publicado: 18 de febrero de 2015
MATERIA: FISICA SEMICONDUCTORES CUESTIONARIO UNIDAD 2 “DIODOS PN”
Conteste correctamente cada una de las preguntas.
1.-Explique concretamente la formación de la barrera de potencial de un diodo PN.
R= Los dipolos tienen un campo eléctrico entre los iones positivo y negativo, y al entrar los Electrones libres en la zona de depleción, el campo eléctrico trata dedevolverlos a la zona n. La intensidad del campo eléctrico aumenta con cada electrón que cruza hasta llegar al equilibrio. El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada "Barrera de Potencial" que a 25 ºC Vale: 0.3 V para diodos de Ge. 0.7 V para diodos de Si. Polarizar: Poner una pila. No polarizado: No tiene pila, circuito abierto en vacío. z.c.e.: Zona deCarga Espacial o zona de deplexión (W).
2.- Dibuje el circuito equivalente de un diodo e indique el nombre de todos los parámetros que la componen.
3.- Enumere los pasos que se aplican para determinar el voltaje del diodo, aplicando la curva característica e indica gráficamente cada paso.
R= 1. Determinar el voltaje de la fuente
2. medir la caída de voltaje en la resistenciadel circuito
3. graficar el voltaje del diodo con respecto a la corriente total del circuito
4.- Describa con sus propias palabras que es la resistencia estática o a cd interna de un diodo PN.
R= Es la resistencia de en lo cual caí un punto que no cambia de valor por que la fuente de voltaje se mantiene constante.
5.- Exponga 2 razones del por qué los diodos de silicio son másempleados en electrónica que los de germanio.
R= Son mejores conductores porque a mi parecer el diodo de Si es más robusto y más ideal en lo que a corrientes se refiere. Es mejor para función de rectificación. El diodo de Germanio al tener menos capacidad será de conmutación más rápida por tener menos capacidad y funcionará mejor en frecuencias muy altas. La estabilidad térmica del de Silicio esmejor que la del de Germanio.
6.- Exprese que significa para usted la curva característica de V – I de un diodo.
R= La curva característica de un diodo ideal, en unos ejes gráficos, tensión en abscisas (eje X) y corriente (eje Y), es una recta que parte del origen y sube hacia arriba justo encima de el eje Y, y otra recta que parte del mismo sitio hacia la izquierda justo por encima del eje X. osea es como un ángulo recto.
El diodo normal (real) parte también del origen hacia arriba en una pendiente suave que se va curvando hacia arriba muy rápidamente ha partir de una tensión de 0,7 Voltios. A medida que sube, no llega a ser paralela al eje de la Y, pero casi. Y otra recta que parte también del origen hacia la izquierda y sigue casi paralela y muy cercana al eje X por debajo. Sigue asíhacia la izquierda hasta un momento en que cae en vertical hacia abajo.
7.- Cuanto vale el valor de la corriente de saturación inversa de un diodo de silicio a temperatura de 86°c, si la Is = 40pAmp. y se duplica cada 7°c arriba de la temperatura ambiente.
R= 10.24nAmp
8.- Dibuje el circuito equivalente de un diodo e indique el nombre de todos los parámetros que la componen.
R= Losparámetros que componen al diodo son principalmente: La resistencia o punto de operación, la cual puede ser estática o dinámica dependiendo si trabajamos en polarización inversa o directa, La corriente o corriente de saturación, el voltaje a través del diodo, la zona de ruptura, o la región de avalancha.
9.- Cuanto vale el voltaje de la barrera de un diodo que posee las características siguientes:Nd = 1 x 108 at/Cm³, Na = 1 x 106 at/Cm³ y Nv = 4.4 x 1022 at/Cm³
R= 26mV ln[(1E16 X 1E8)/(1.5E10)^2]
= .218 ev
10.- Calcular la...
Conteste correctamente cada una de las preguntas.
1.-Explique concretamente la formación de la barrera de potencial de un diodo PN.
R= Los dipolos tienen un campo eléctrico entre los iones positivo y negativo, y al entrar los Electrones libres en la zona de depleción, el campo eléctrico trata dedevolverlos a la zona n. La intensidad del campo eléctrico aumenta con cada electrón que cruza hasta llegar al equilibrio. El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada "Barrera de Potencial" que a 25 ºC Vale: 0.3 V para diodos de Ge. 0.7 V para diodos de Si. Polarizar: Poner una pila. No polarizado: No tiene pila, circuito abierto en vacío. z.c.e.: Zona deCarga Espacial o zona de deplexión (W).
2.- Dibuje el circuito equivalente de un diodo e indique el nombre de todos los parámetros que la componen.
3.- Enumere los pasos que se aplican para determinar el voltaje del diodo, aplicando la curva característica e indica gráficamente cada paso.
R= 1. Determinar el voltaje de la fuente
2. medir la caída de voltaje en la resistenciadel circuito
3. graficar el voltaje del diodo con respecto a la corriente total del circuito
4.- Describa con sus propias palabras que es la resistencia estática o a cd interna de un diodo PN.
R= Es la resistencia de en lo cual caí un punto que no cambia de valor por que la fuente de voltaje se mantiene constante.
5.- Exponga 2 razones del por qué los diodos de silicio son másempleados en electrónica que los de germanio.
R= Son mejores conductores porque a mi parecer el diodo de Si es más robusto y más ideal en lo que a corrientes se refiere. Es mejor para función de rectificación. El diodo de Germanio al tener menos capacidad será de conmutación más rápida por tener menos capacidad y funcionará mejor en frecuencias muy altas. La estabilidad térmica del de Silicio esmejor que la del de Germanio.
6.- Exprese que significa para usted la curva característica de V – I de un diodo.
R= La curva característica de un diodo ideal, en unos ejes gráficos, tensión en abscisas (eje X) y corriente (eje Y), es una recta que parte del origen y sube hacia arriba justo encima de el eje Y, y otra recta que parte del mismo sitio hacia la izquierda justo por encima del eje X. osea es como un ángulo recto.
El diodo normal (real) parte también del origen hacia arriba en una pendiente suave que se va curvando hacia arriba muy rápidamente ha partir de una tensión de 0,7 Voltios. A medida que sube, no llega a ser paralela al eje de la Y, pero casi. Y otra recta que parte también del origen hacia la izquierda y sigue casi paralela y muy cercana al eje X por debajo. Sigue asíhacia la izquierda hasta un momento en que cae en vertical hacia abajo.
7.- Cuanto vale el valor de la corriente de saturación inversa de un diodo de silicio a temperatura de 86°c, si la Is = 40pAmp. y se duplica cada 7°c arriba de la temperatura ambiente.
R= 10.24nAmp
8.- Dibuje el circuito equivalente de un diodo e indique el nombre de todos los parámetros que la componen.
R= Losparámetros que componen al diodo son principalmente: La resistencia o punto de operación, la cual puede ser estática o dinámica dependiendo si trabajamos en polarización inversa o directa, La corriente o corriente de saturación, el voltaje a través del diodo, la zona de ruptura, o la región de avalancha.
9.- Cuanto vale el voltaje de la barrera de un diodo que posee las características siguientes:Nd = 1 x 108 at/Cm³, Na = 1 x 106 at/Cm³ y Nv = 4.4 x 1022 at/Cm³
R= 26mV ln[(1E16 X 1E8)/(1.5E10)^2]
= .218 ev
10.- Calcular la...
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.