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Páginas: 5 (1191 palabras) Publicado: 22 de noviembre de 2012
DIODOS LED | Características: Tiene una polaridad; positivo y negativo, Los focos tienen una vida útil y larga, Tiene un alto rendimiento a bajo costo. | Función: El led no es un "foquito", es un semi-conductor (diodo) que emite una luz al paso de una corriente eléctrica. |
PUENTE RATIFICADORES | CODIGO: PDW02MCaracterísticas: se les clasifica en monofásicos, cuando están alimentados por unafase de la red eléctrica y se alimentan por tres fases. | Función: es el elemento o circuito que permite convertir la corriente alterna en corriente continua.1 Esto se realiza utilizando diodos rectificadores, ya sean semiconductores de estado sólido, válvulas al vacío o válvulas gaseosas como las de vapor de mercurio. |
MODULOS HIBRIDOS SCR | Características:Linealidades excelentes
Extremadamente - ruido bajo
Alto aumento
Características excelentes de la pérdida de vuelta.  | Función: Sola línea suplemento del módulo en el funcionamiento de los sistemas de CATV
Sobre un radio de acción de frecuencia de 40 a 860 megaciclos. |

TRANSISTORES TO3 | CODIGO: TT2N3055Características: Este  encapsulado se utiliza en transistores de gran potencia. Como sepuede ver en el gráfico es de gran tamaño debido a que tiene que disipar bastante calor. Está fabricado de metal y es muy normal ponerle un "disipador" para liberar la energía que este genera en calor. | Función: El TO elemento significa "esquema transistor" y se refiere a una serie de dibujos técnicos producidos por JEDEC.
El metal TO-3 puede empaquetar es de uso general para poder transistores,rectificadores controlados de silicio, y, ocasionalmente, los circuitos integrados. El componente de matriz semiconductora está montado sobre una placa de metal con una lata de metal ondulado en la parte superior de ella, proporcionando buena conducción del calor y durabilidad. |
TRANSISTORES TO3P | CODIGO: TJ2SD1555Características: La construcción y estructura de estos dispositivos es muysimilar al FET e igualmente sus electrodos se denominan puerta, drenaje y fuente. La diferencia se encuentra en que la puerta está aislada del canal mediante una capa de óxido de silicio (SiO2). Estos transistores reciben, también, el nombre de IGFET | Función: Arandelas de grafito conductivo térmicamente secas para utilizar cuando se requiere conductividad eléctrica junto con una excelentetransferencia de calor. El rendimiento térmico es comparable al proporcionado por la grasa de silicona de óxido metálico sin las desventajas de contracción o secado en largos períodos de tiempo. Una resistencia eléctrica baja y un proceso de montaje limpio se combinan para ofrecer resultados constantes y rápidos. |
TRANSISTORES TO92  | CODIGO: TT2N3904 Características: Este transistor pequeño es muyutilizado para la amplificación de pequeñas señales. La asignación de patitas (emisor - base - colector) no está estandarizado, por lo que es necesario a veces recurrir a los manuales de equivalencias para obtener estos datos. | Función: La "A" designación significa "esquema transistor". [1 ] A-220 paquetes tienen tres conductores. Los paquetes similares con dos, cuatro, cinco o siete se conducentambién fabricados. Una característica notable es una lengüeta metálica con un agujero, que se utiliza en el montaje de la caja a un disipador de calor. |
TRANSISTORES TO18 | CODIGO: TT2N2222ACaracterísticas: Es un poco más grande que el encapsulado TO-92, pero es metálico. En la carcasa hay un pequeño saliente que indica que la patita más cercana es el emisor. | Función: Es un poco más grandeque el encapsulado TO-92, pero es metálico. En la carcasa hay un pequeño saliente que indica que la patita más cercana es el emisor. Para saber la configuración de patitas es necesario a veces recurrir a los manuales de equivalencias. |
TRANSISTORES TO220  | CODIGO: TJ2SD553Características: Este encapsulado se utiliza en aplicaciones en que se deba de disipar potencia algo menor que con el...
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