fitxa tècnica transistors
1. Denominació del component: transistors.
2. Tipus i símbols.
Bipolars BJT (Bipolar Junction Transistor): NPN i PNP. Són els més utilitzats. Està format per dosunions PN juntes i en oposició. Les dos unions estan contingudes en un cristall semiconductor de silici o germani que presenta tres zones amb dopats alterns de tipus P i N, denominats emisor (E),base (B) i col·lector (C). Depenent de com estiguen situades questes zones poden ser: NPN i PNP. El primer tipus és el més utilitzat perquè és més ràpid i s’adapta mmillor als circuits en els que elpol negatiu de la fot d’alimentació es connecta a massa.
Les tres zones es connecten a tres terminals externs del transistor, el nom dels quals indica la funció que realitzen: l’emissor (E) emet oinjecta portadors de càrrega majoritàriament fins a la base; la base (B) exerceix el control dels portadors, i el col·lector recull els portadors procedents del emissor.
Unipolars: MOSFET (canal N iP) i JFET (canal N i canal P).
3. Fonamentació científica.
a) Paràmetres
Ganancia de corrent (β). És la relació que existeix entre la variació de la corrent del col·lector i lavariació de la corrent de base: β = ΔIC/ΔIB. En algunes fulles d’especificacions tècniques se identifica per hFE en lloc de β. És un paràmetre adimensional.
Intensitat de col·lector màxima (ICmàx).Indica la corrent màxima que pot passar pel receptor connectat a l’eixida de la etapa amplificadora. S’expressa en mA o en A.
Potència total (P). Permet conèixer la potència total que es capaç dedissipar el transistor. S’expressa en mW o en W.
Tensió màxima entre col·lector i emissor (VCEOmàx). És la tensió màxima que es capaç de suportar el transistor entre col·lector i emissor sense que esdestruïsca. S’expressa en V.
b) Funció i funcionament en un circuit.
Els transistors són components electrònics que –connectats de forma adequada en un circuit electrònic– poden funcionar com a...
Regístrate para leer el documento completo.