Flio flop jk en verilog

Republica de Venezuela Universidad Rafael Bellosos Chacin Laboratorio de Circuitos II Maracaibo/ Edo. Zulia Amplificador BJT Integrantes: ESQUEMA 1.− Objetivos de la Practica 2.− Revisión de laLiteratura 3.− Materiales y Equipos 4.− Funcionamiento y Análisis de los Resultados 5.− Medidas 6.− Conclusiones 7.− Bibliografía 8.− Anexos Objetivos: • Diseñar un amplificador BJT, con una ganancia devoltaje (v) igual a −10 • Analizar el comportamiento de la señal emitida por el amplificador en baja y alta frecuencia, para determinar el ancho de banda. Revisión de la Literatura: BJT : Transistorbipolar de unión. Es aquel dispositivo electrónico que está constituido por tres materiales semiconductores extrínseco, de forma PNP o NPN, es decir, porción de material N, seguido de material P, luegootra porción de material N, en el tipo NPN, y de forma análoga en el PNP, pero con los materiales semiconductores inversos. El transistor BJT se conoce también como transistor bipolar, porque laconducción es a través de huecos y electrones. La zona central se denomina base, las otras dos se denominan colector y emisor. El emisor se construye estrecho y muy dopado, la base es estrecha y menosdopada y el colector es la zona más ancha. Para proteger el material semiconductor, se emplean el encapsulado, que puede ser plástico, de baquelita o metálico. A pesar de la poca disipación de energía quetienen los transistores en determinadas ocasiones es necesario el empleo de disipadores de calor para favorecer la ventilación del transistor. 1

Polarización del transistor El transistor sinpolarizar se puede considerarse como dos diodos contrapuestos, con una barrera de potencial de 0,7 V para cada diodo. Si se polariza ambos diodos directa o inversamente, se comportarán permitiendo o no elpaso de la corriente como se sabe. El efecto de amplificación en el transistor se crea al polarizar directamente la unión base−emisor e inversamente la unión colector−base. Al estar la unión de...