FOR GAPLA Transistores En Cx_v1

INFORMACIÓN BÁSICA
Nombre del Curso
Fecha de diligenciamiento(dd/mm/aaaa)
Sección(es)
Periodo académico
Laboratorio Fundamentos de Electrónica
1 septiembre 2014
1,2,3
2014-20
Nombre de la práctica:
Transistores en conmutación
Práctica No.:
3
Profesor(es):
Alba Graciela Ávila Bernal

Asistente(es) Graduado(s):
Gerardo Alfonso Roque Romero
Hector Alfonso Oliva Rojas
Semana de la práctica (1-16)Versión de la guía
Nomenclatura del espacio a utilizar
10 - 11
1
ML004 – ML009
CONTENIDO DE LA GUÍA
Objetivos
Identificar y diferenciar los pin-out de transistores NPN – PNP
Comprender el funcionamiento del transistor en conmutación.
Revisar la hoja del fabricante para tener presente los parámetros máximos y mínimos de funcionamiento.
Estudiar el proceso de conmutación en una aplicación prácticacomo lo son las compuertas digitales.

Procedimiento de la práctica de laboratorio

Materiales de Trabajo.
 Transistor 2N3906 (Consultar Hoja de Datos).
 Transistor 2N3904 (Consultar Hoja de Datos).
 Transistor 2N2222 (Consultar Hoja de Datos).
 Transistor 2N2907 (Consultar Hoja de Datos).
 Resistencia con valores según el circuito a implementar. (Figura 1 y Figura 4).
 Condensadorescon valores según el circuito a implementar. (Figura 4).
 Resistencias y condensadores varios. (Para modificaciones en el circuito).
 Protoboard.
 Caimanes.
 Cables de conexión.

Equipos e Instrumentos.
 Multímetro digital y Base transistores.
 Fuente dual de voltaje variable. (La fabricada en el laboratorio 2).
 Osciloscopio.
 Generador de señales.

RECOMENDACIÓN: Traer loscircuitos montados.

Descripción General.

En la electrónica moderna el transistor ejecuta muchas de las funciones electrónicas que se realizan en diversas aplicaciones con circuitos que emplean transistores, de allí que es muy importante estudiar el comportamiento del transistor bipolar en continua y en régimen dinámico, así como la utilización del transistor como interruptor y como amplificador deseñales de pequeña amplitud para el diseño de diversas aplicaciones. Para esta práctica se estudiará el proceso de conmutación y como es aplicado en diversos aspectos.

POLARIZACIÓN TRANSISTOR BJT
Según las polarizaciones de los diodos de emisor y colector se dice que el transistor bipolar trabaja en determinados modos o regiones de funcionamiento, las cuales son objeto de esta práctica delaboratorio, estas regiones se indican en la tabla 1a y las condiciones de polarización para los cuatro modos de operación de un transistor NPN se muestran en la tabla 1b y aún más detalladas en la tabla 2.



Para el transistor NPN las uniones emisora y colectora están polarizadas en directa cuando VBE y VBC son positivas. Para el transistor PNP las dos uniones estarán en directa si las tensionesanteriores son negativas (es decir, si las tensiones VEB y VCB son positivas).










PROCEDIMIENTO.

1. Identificacion. (Trabajo previo)
Investigar y susentar tecnicas y su respectivo procedimiento para la identificacion de los pines de un transistor NPN – PNP.

2. Curvas del transistor.
Para la obtención de las curvas características de colector para el transistor BJT, realice el montaje indicado enla Figura 1. Para esto realice ajustes graduales para el potenciómetro R1 de 100KΩ (o Trimmer 100KΩ) en valores y realice una gráfica a partir de la captura del osciloscopio para cada valor de resistencia presente en el potenciómetro. Para el montaje configure los siguientes parámetros:
Fuente V2: Generador de señales con una salida de onda triangular entre 0V y 5V a una frecuencia de 10Hz.
Conecteel canal 1 (CH1) y canal 2 (CH2) como se indica en la figura 3, y con el canal 2 (CH2.Inv.) invertido en el osciloscopio.
El modo de funcionamiento para el osciloscopio debe ser modo X-Y.



Para el montaje de la figura 1, identifique las diferentes regiones sobre las cuales puede operar el transistor (saturación, activa y corte) teniendo en cuenta la variación de R1, y sobre esto realice la...