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DIODOS
Y
TRANSISTORES
ING. ROBERTO CELORIO RAMÓN

Es el dispositivo semiconductor más sencillo de dos terminales que,
en una situación ideal, se comporta como un interruptor. Son
unidireccionales, por tanto por ellos no puede circular la corriente en
sentido contrario al de conducción.

Los diodos de unión pn, están constituidos por la unión de dos materiales
semiconductoresextrínsecos tipos p y n. Hay que destacar que ninguno de los
dos cristales por separado tiene carga eléctrica, ya que en cada cristal, el número
de electrones y protones es el mismo. De lo que podemos decir que los dos
cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0). La característica
de la unión pn da lugar a que este dispositivo conduzca en un sentido y que no lo
haga en formacontraria.

A) En este caso, el diodo permite el paso de la corriente sin restricción,
provocando una caída de potencial que suele ser de 0,7 V. Este voltaje de 0,7
V se debe a que usualmente se utilizan diodos de silicio. En el caso del
germanio, que es el segundo mas usado el voltaje es de 0,3 V
B) En este caso, el diodo no conduce, quedando el circuito abierto. La tensión
de salida esnula, al igual que la intensidad de la corriente

ES UN DISPOSITIVO CAPAZ DE VARIAR SU RESISTENCIA INTERNA EN
FUNCIÓN DE LA TENSIÓN APLICADA EN SUS TERMINALES. EL DIODO
ZENER, RECIBE ESTE NOMBRE POR SU INVENTOR, EL DR. CLARENCE
MELVIN ZENER, ES UN DIODO DE SILICIO QUE SE HA CONSTRUIDO PARA
QUE FUNCIONE EN LAS ZONAS DE RUPTURAS.

ESTOS DISPOSITIVOS NO ESTÁN CONSTITUIDOS POR UNA UNIÓN P–N,EL
DIODO SCHOTTKY TIENE UNA UNIÓN METAL-N. ESTOS DIODOS SE
CARACTERIZAN POR SU VELOCIDAD DE CONMUTACIÓN, UNA BAJA CAÍDA
DE VOLTAJE CUANDO ESTÁN POLARIZADOS EN DIRECTO.LA TENSIÓN
UMBRAL DE LOS DIODOS SCHOTTKY DE SILICIO OSCILA ENTRE LOS 0,3 Y
0,7V.

ES UN SEMICONDUCTOR CONSTRUIDO CON UNA UNIÓN PN, SENSIBLE A
LA INCIDENCIA DE LA LUZ VISIBLE O INFRARROJA. PARA QUE SU
FUNCIONAMIENTO SEACORRECTO SE POLARIZA INVERSAMENTE, CON
LO QUE SE PRODUCIRÁ UNA CIERTA CIRCULACIÓN DE CORRIENTE
CUANDO SEA EXCITADO POR LA LUZ. DEBIDO A SU CONSTRUCCIÓN, LOS
FOTODIODOS SE COMPORTAN COMO CÉLULAS FOTOVOLTAICAS, ES
DECIR, EN AUSENCIA DE LUZ EXTERIOR GENERAN UNA TENSIÓN MUY
PEQUEÑA CON EL POSITIVO EN EL ÁNODO Y EL NEGATIVO EN EL
CÁTODO. ESTA CORRIENTE PRESENTE EN AUSENCIA DE LUZ RECIBE EL
NOMBREDE CORRIENTE DE OSCURIDAD.

ES UN TIPO DE DIODO QUE BASA SU FUNCIONAMIENTO EN EL
FENÓMENO QUE HACE QUE LA ANCHURA DE LA BARRERA DE
POTENCIAL EN UNA UNIÓN PN VARÍE EN FUNCIÓN DE LA TENSIÓN
INVERSA APLICADA ENTRE SUS EXTREMOS. AL AUMENTAR DICHA
TENSIÓN, AUMENTA LA ANCHURA DE ESA BARRERA,
DISMINUYENDO ASÍ LA CAPACIDAD DEL DIODO. DE ESTE MODO SE
OBTIENE UN CONDENSADOR VARIABLE CONTROLADOPOR
TENSIÓN.

TAMBIÉN SE CONOCEN COMO DIODOS ESAKI, EN HONOR DEL
HOMBRE QUE DESCUBRIÓ QUE UNA FUERTE CONTAMINACIÓN
CON IMPUREZAS PODÍA CAUSAR UN EFECTO DE TUNELIZACIÓN
DE LOS PORTADORES DE CARGA A LO LARGO DE LA ZONA DE
AGOTAMIENTO EN LA UNIÓN. UNA CARACTERÍSTICA
IMPORTANTE DEL DIODO TÚNEL ES SU RESISTENCIA NEGATIVA
EN UN DETERMINADO INTERVALO DE VOLTAJES DE
POLARIZACIÓN DIRECTA. CUANDOLA RESISTENCIA ES
NEGATIVA, LA CORRIENTE DISMINUYE AL AUMENTAR EL
VOLTAJE.

ESTE DIODO TIENE CARACTERÍSTICAS MUY DIFERENTES A LOS
ANTERIORES, YA QUE NO ES RECTIFICADOR. SE TRATA DE UN
GENERADOR DE MICROONDAS, FORMADO POR UN SEMICONDUCTOR
DE DOS TERMINALES QUE UTILIZA EL LLAMADO EFECTO GUNN. ESTE
EFECTO GUNN SÓLO SE DA EN MATERIALES TIPO N (MATERIAL CON
EXCESO DE ELECTRONES) Y LASOSCILACIONES SE DAN SÓLO
CUANDO EXISTE UN CAMPO ELÉCTRICO.
EL EFECTO GUNN ES UNA PROPIEDAD DEL CUERPO DE LOS
SEMICONDUCTORES Y NO DEPENDE DE LA UNIÓN MISMA, NI DE LOS
CONTACTOS, TAMPOCO DEPENDE DE LOS VALORES DE TENSIÓN Y
CORRIENTE Y NO ES AFECTADO POR CAMPOS MAGNÉTICOS.
CUANDO SE APLICA UNA PEQUEÑA TENSIÓN CONTINUA A TRAVÉS DE
UNA PLACA DELGADA DE ARSENIURO DE GALIO (GAAS), ÉSTA
PRESENTA...