Formulas De Transistores

Formula de Transistores
IE = IC + IB IE = IB (β +1) IB = IE / β + 1
IE es casi igual a IC
β En el ECG aparece como hfe P = VCE.IC
β = IC / IB IC = β.IB IB = IC / β IB es mucho más pequeña que IC

VCE = VC – VE
VCB = VC – VB
VBE = VB – VE

Polarización Fija
IB = VBB – VBE / RB
VBE = 0.7V
VB = VBB – VBE
IC = β.IB
VCE = VCC– IC.RC
IC = β (VCC – VBE) / RB

IC de saturación
IC (sat) = VCC / RC
VCE en corte
VCE (corte) = VCC
La recta de carga
Para que el amplificador quede en el punto medio la recta de carga Q.
VCEQ = VCE (corte) / 2
ICQ = IC (sat) / 2
VCE (corte) Se expresa en Voltio
IC (sat) Se expresa en mA.

Para hallar el nuevo valor de la Resistencia de base y quede en toda la mitad de la rectaQ.
IBQ = ICQ / β
RBQ = VBB – VBE / IBQ
RBQ = β (VCC – VBE) / IBQ
Polarización por división de tensión

Para este tipo de polarización se debe tener en cuenta la siguiente condición:
β.RE ≥ 10.R2 El signo ≥ Significa mayor o igual
Si la condición se cumple quiere decir que no necesitamos el β en las formulas.
A continuación vamos a ver las formulas que no necesitan del β.


Estasformulas son para el divisor de tensión.
VBB = R2.VCC / R1 + R2
VBB = IC.RE + VBE
RB = R1.R2 / R1 + R2
R1 = R2 (VCC – VBB) / VBB
R2 = R1.VBB / VCC – VBB



Para empezar comenzamos a aplicar las siguientes formulas
VBB = R2.VCC / R1 + R2
IC = VBB – VBE / RE
VCE = VCC – IC (RC + RE)

IC de saturación
IC (sat) = VCC / RC + RE
VCE en corte
VCE (corte) = VCC


Para que elamplificador quede en el punto medio la recta de carga Q.
VCEQ = VCE (corte) / 2
ICQ = IC (sat) / 2
VCE (corte) Se expresa en Voltio
IC (sat) Se expresa en mA.
Para hallar el nuevo valor de la Resistencia R1 teniendo el valor de resistencia R2 para que quede en el punto medio de la recta de carga Q.
VBB = ICQ.RE + VBE
R1 = R2 (VCC – VBB) / VBB
Para hallar el nuevo valor de la Resistencia R2teniendo el valor de resistencia R1 para que quede en el punto medio de la recta de carga Q.
VBB = ICQ.RE + VBE
R2 = R1.VBB / VCC – VBB
Cuando la condición no se cumple
β.RE ≥ 10.R2 El signo ≥ Significa mayor o igual
Si la condición no se cumple quiere decir que necesitamos el β en las formulas.
Hay que realizar un circuito equivalenteThevenin con las siguientes formulas:
RTH = R1.R2 / R1 + R2
VTH = R2.VCC / R1 + R2
IB = VTH – VBE / RTH + (β + 1).RE
IC = β.IB
VCE = VCC – IC (RE – RC)


IC de saturación
IC (sat) = VCC / RC + RE
VCE en corte
VCE (corte) = VCC

Polarización por Auto polarización de Emisor


Aplicamos las siguientes formulas:
IB = VCC – VBE / RB + (β + 1).RE
IC = β.IB
VCE = VCC – IC(RE – RC)

IC de saturación
IC (sat) = VCC / RC + RE
VCE en corte
VCE (corte) = VCC

La recta de carga
Para que el amplificador quede en el punto medio la recta de carga Q.
VCEQ = VCE (corte) / 2
ICQ = IC (sat) / 2
VCE (corte) Se expresa en Voltio
IC (sat) Se expresa en mA.

Para hallar el nuevo valor de la Resistencia de base y quede en toda la mitad de la recta Q.
IBQ = ICQ / βRBQ = VCC – VBE – IBQ. (β + 1).RE / IBQ
RBQ = VCC – VBE – β.IBQ / IBQ
Cuestionario

Un transistor bipolar tiene tres junturas (V)
El transistor bipolar de juntura (BJT) se puede definir como la unión de tres junturas de silicio o germanio dopadas alternativamente con material tipo NPN o PNP.
Los terminales de un BJT se denominan Colector, Base y Emisor (V)

Emisor (E): Se encarga deproporcionar portadores de carga.
Colector (C): Se encarga de recoger portadores de carga.
Base (B): Controla el paso de corriente a través del transistor.

El β de un transistor se define como la ganancia de voltaje (F)
El β es una unidad de ganancia de corriente expresada por la siguiente fórmula:
β = IC / IB
El transistor tipo NPN presenta portadores mayoritarios huecos en la base (V )...