Fotoconductividad
Cuando los electrones sonexcitados a la banda de conducción desde la banda de valencia del a-Si:H, se generan densidades de electrones y huecos libres. La recombinación directa de estos electrones y huecos, normalmente es unproceso menos probable que su recombinación indirecta por medio de estados de defectos en la banda prohibida o gap. Los últimos son generalmente más numerosos y tienen una mayor sección eficaz de capturapara los portadores libres.
La fotoconductividad depende en gran medida de la densidad de estados en la banda prohibida. Si la densidad de estados es grande, los electrones fotogeneradosno tienen tiempo de ser recogidos en los electrodos, pues su probabilidad de recombinación debido a los defectos es importante. La probabilidad de recombinación disminuye si también lo hace el númerode defectos, pues la densidad de estados en el gap disminuye.
En el estudio de la fotoconductividad no suele hacerse diferencias entre materiales monocristalinos, cristalinos oamorfos. En la medida en que los electrones excitados sean más móviles que aquellos no excitados, se puede esperar una respuesta fotoconductora y se pueden analizar los resultados en términos de una...
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