FOTOLUMINISCECIA

Técnica de Microscopia Electrónica de
Barrido (SEM) por Catodoluminicencia

Jazmín Mercado González
Asesor . Dr. Manuel Herrera Zaldívar

Contenido
Objetivo
Fundamentos
Metodología de laCaracterización
Resultados
Microscopia Electrónica de Barrido (SEM) y Catodoluminiscencia (CL)
Espectroscopía de Catodoluminiscencia
Espectroscopía de Energía Dispersa (EDS)

ConclusiónReferencias

Objetivo

Caracterización de la morfología y propiedades ópticas de
una película semiconductora de GaN por medio de la
Técnica de catodoluminiscencia (CL), en el microscopio
electrónico debarrido (SEM).

Fundamentos
El Microscopio electrónico de barrido (SEM ),  utiliza
un haz de electrones para formar una imagen
ampliada de la superficie de un objeto, permite la
observación ycaracterización superficial de sólidos.

e

Fig.1 Equipo de Microscopia Electronica de Barrido

• Rayos X
Microanálisis y distribución de los elementos

e
• Catodoluminicencia
Distribuciónde niveles de energía

• Electrones secundarios
Topografía de la superficie de la muestra

Fig. 1 Esquema de catodoluminicenca
(http://www.saha.ac.in/surf/tapask.chini/clsem.html)Metodología de la Caracterización

s
o
d
a
t
l
u
s
e
R

Microscopia Electrónica de Barrido (SEM) y
Catodoluminiscencia (CL)

Sección Transversal

Espectroscopía de Catodoluminiscencia364
2400

300000

551

2200

Intensity (a.u.)

Intensity (a.u.)

400000

200000

2000
1800
1600
1400
1200
1000
450

100000

500

550

600

650

Wavelength (nm)

0300

400

500

600

700

Wavelength (nm)

800

900

Espectroscopia de Energía Dispersa
(EDS)

Conclusión
• Con la técnica de catodoluminiscencia (CL) es posible identificar laspropiedades
ópticas de los defectos puntuales e impurezas presentes en los semiconductores,
responsables de la luminiscencia residual de un semiconductor que no corresponde
con la emisión del...