Fuente de corriente con transistores

Fuente de Corriente Parte I
Objetivos:
 Diseñar y determinar las características de operación de una fuente de corriente con:
a. BJT discretos
b. BJT integrados
Resumen
A partir del valorindicado de VEE se prosiguió con los cálculos de los componentes para la fuente de
corriente con un transistor bipolar, al obtener los valores mediante análisis teórico, empezamos nuestra
experiencia delaboratorio que consistía en ir ajustando la resistencia del colector R4 de 0 hasta alcanzar
los valores de voltaje VCE marcados en la tabla.
Desarrollo
I Parte:
Fuente de corriente con un solotransistor BJT
1. Obtenga las características eléctricas del BJT de la data del fabricante (β, IC max, VCE max)
50 ≤ β ≤300
IC max = 800mA
VCE max = 50V
2. Mida β con el probador de transistoresdel multímetro y compárela con (1)
β = 72
3. Del circuito indicado

4. Calcule R1, R2 y RE para obtener una corriente Io = 2 mA, con R4 = 0 y VCE=2/3 VEE.
REE=VEE-VCE/IO
REE=12-8/2mVTH=-12*R2/R1+R2

VCE=2/3VEE=8V
REE=2k
RTH=R1*R2/R1+R2

IB=2m/73

12*R2/R1+R2 + IB*R1R2/R1+R2 + 0.7 + 4 - 12=0
Para un valor conocido de R1=3kΩ
R2= (-27uR1 + 7.3R1)/(12+27u-7.3)
R2=4.6kΩ
5. Arme elcircuito con los transistores de valores comerciales disponibles.
6. Ajuste el potenciómetro (R4), incrementando su resistencia desde 0 Ω, tal que la magnitud de
VCE sea la indicada en la tabla.Registre los valores obtenidos en la tabla 1.

Tabla 1.
R4 (KΩ)
0
0.405
0.886
1.4
1.86
2.4
2.96
3.46
3.67
3.75
3.94

VR4 (V)
0
0.79
1.72
2.78
3.62
4.66
5.76
6.72
7.13
7.29
7.65VCE (V)
7.87
7.02
6.09
5.03
4.19
3.15
2.05
1.1
0.69
0.52
0.27

VRE (V)
4
3.89
3.87
3.87
3.87
3.87
3.87
3.87
3.87
3.87
3.86

IRE = VRE/RE (A)
2m
1.95m
1.94m
1.94m1.94m
1.94m
1.94m
1.94m
1.94m
1.94m
1.93m

7. Grafique Ic vs VCE.
0.00201
0.002
0.00199

IRE

0.00198
0.00197
0.00196
0.00195
0.00194
0.00193
0.00192
0

2

4

6
VCE

8....