fuentes de energia



1.1 Memoria RAM
Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas como memorias RAM de la sigla en inglés Random Access Memory.
Se caracterizan por ser memorias de lectura/escritura y contienen un conjunto de variables de dirección que permiten seleccionar cualquier dirección de memoria de forma directa e independiente de la posición en la que se encuentre.
Estas memorias son volátiles, esdecir, que se pierde la información cuando no hay energía y se clasifican en dos categorías básicas: la RAM estática y la RAM dinámica
Esta información se borra cuando se apaga el PC. Es en la RAM donde se cargan las aplicaciones del usuario en el momento de ser ejecutadas, así como los valores de las variables que utilizan estos programas.










El número n de líneas de datos, esel ancho de la palabra, el número de líneas de dirección k, determina la cantidad de localidades del dispositivo, talque número celdas=2k, y un valor binario formado por estas líneas determina la celda en particular sobre la que se está operando (escribiendo o leyendo).




Se muestra la estructura interna de una memoria RAM:











1.2 Se clasifica en dos tipos.
La memoriaram se clasifica en dos tipos:
DRAM (Dinamic RAM) que constituye la memoria principal del ordenador.
SRAM (Static RAM) que corresponde habitualmente a la memoria caché.
1.2.1 Memoria RAM dinámica
La operación de la celda es similar a la de un interruptor, cuando el estado en la fila se encuentra en alto, el transistor entra en saturación y el dato presente en el bus interno de la memoria(columna) se almacena en el condensador, durante una operación de escritura y se extrae en una operación de lectura. El inconveniente que tiene este tipo de n de lectura. El inconveniente que tiene este tipo de memorias consiste en que hay que recargar la información almacenada en las celdas, por lo cual estas celdas requieren de circuitería adicional para cumplir esta función. A esta función especialse llama de refresco.
Lectura de información de la memoria DRAM:
Cuando el microprocesador necesita leer información almacenada en la DRAM, coloca una tensión en cada línea de las líneas de dirección (bus de direcciones) indicando con ello una posición concreta donde quiere acceder. Donde quiera que haya un condensador que contenga carga en la posición indicada por las líneas de dirección, sedescargará a través del circuito creado entre la memoria y el microprocesador, enviando las cargas eléctricas de cada condensador a lo largo de las líneas de información (bus de datos) al microprocesador. El microprocesador reconoce de qué línea de información proceden los pulsos o cargas eléctricas, e interpreta cada pulso como un 1, y cualquier línea que no ha enviado un pulso como un 0. Lacombinación de 1 y 0 desde las ocho líneas de información forman un solo byte de información.
Escritura de información en la memoria DRAM:
El microprocesador coloca una tensión en cada una de las líneas de dirección indicando con ello una posición de memoria donde quiere acceder. Esta dirección identifica el lugar donde grabar la información entre las muchas posiciones del chip de memoria. En cadaposición de memoria de un chip de DRAM donde puede ser almacenada la información, la tensión carga un condensador que básicamente es un transistor MOS. Cuando el pulso eléctrico alcanza la posición determinada, se produce una corriente y carga un condensador. Este mismo proceso se repite continuamente para refrescar la memoria y por tanto la carga de todos los condensadores que forman la memoria.1.2.1 Memoria RAM estática.
Este tipo de memoria conocida como SRAM (Static Random Access Memory) se compone de celdas conformadas por flip-flops construidos generalmente con transistores MOSFET, aunque también existen algunas memorias pequeñas construidas con transistores bipolares.
Mientras que DRAM utiliz a tiempos de acceso de cerca de 60 nanosegundos, SRAM puede dar los tiempos de acceso de...