Fuerza electromotriz vs concentracion

Qué son los Transistores : Definición 
     Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o más electrodos. Los tres electrodos principales son emisor, colector y base. La conducción entre estos electrodos se realiza por medio de electrones y huecos. El germanio y el sicilio son los materiales más frecuentemente utilizados para la fabricación de los elementos semiconductores. Los transistorespueden efectuar prácticamente todas las funciones de los antiguos tubos electrónicos, incluyendo la ampliación y la rectificación, con muchísimas ventajas. 
Elementos de un transistor o transistores:
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se lellama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.
•  EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su labor es la equivalente al CATODO en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
• BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente a la REJILLA cátodo en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
•COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
Ventajas de los  transistores electrónicos
•  El consumo de energía es sensiblemente bajo.
•  El tamaño y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vacío.
•  Una vida larga útil (muchas horas de servicio).
• Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento).
•  No necesita tiempo de calentamiento.
•  Resistencia mecánica elevada.
•  Los transistores pueden reproducir otros fenómenos, como la fotosensibilidad.
Electrónica Industrial y componentes 
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|Tipos de  Transistores|
|Transistores Bipolares de unión, BJT. ( PNP o NPN ) |
|- BJT, de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junction Transistor).  |
|El termino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material ||polarizado de forma opuesta. |
|Transistores de efecto de campo. ( JFET, MESFET, MOSFET ) |
|- JFET, De efecto de campo de unión (JFET): Tambien llamado transistor unipolar, fué el primer transistor de efecto de campo en|
|lapráctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece |
|un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. |
|- MESFET, transistores de efecto de campo metal semiconductor. |
|- MOSFET,transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos componentes, cada transistor es formado por |
|dos islas de silicio, una dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un |
|electrodo de metal. |
|Transistores HBT yHEMT.                                          |
|Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y Hight |
|Electron Mobility Transistor ( De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales formados por la combinación de diferentes |
|componentes, con...