Funcionamiento BJT

El transistor
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El transistor de unión
Concentración de portadores
Polarización en forma activa
Tensiones y corrientes en el
transistor
Movimiento de cargas en el
transistor
Eltransistor como amplificador
Configuraciones del transistor
El transistor como conmutador

Introducción

En 1949, Walter Houser
Brattain, John Bardeen y
William Bradford Shockley,
científicos de la “BellTelephone Laboratories”,
iniciaron una revolución en la
electrónica con la invención del
transistor. En 1956 recibieron
el premio Nobel de Física por
su trabajo.

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Tipos
El transistor es undispositivo electrónico de estado
sólido de gran uso tanto en la electrónica analógica
(amplificador) como en la digital (conmutador).
Hay distintos tipos:
BJT= BiJunction Transistor (Transistor de unión obipolar)
JFET=Junction Field Effect Transistor (Transistor de
efecto de campo)
MOSFET= Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor
Otros

El transistor de unión
El transistor de unión es unsemiconductor en el que una
capa de tipo n está entre dos capas de tipo p (p-n-p), ó
una capa de tipo p está entre dos capas de tipo n (n-p-n).
Emisor Base Colector

P

N

P

Emisor Base Colector

N

P

NSímbolos

En los símbolos la flecha del emisor indica la dirección de la corriente
cuando la unión emisor base está polarizada directamente

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Concentración de portadores

P
Emisor

N
Base

P
ColectorConcentración de
portadores de carga

P

P

pp0

nn0

p'p0

np0

pn0

n'p0

N

Polarización en forma activa
P
Emisor

N
Base

E

P
Colector

E

Concentración de
portadores de carga

P

pp0

P

nn0p'p0

np0

Difusión

n'p0

E N

E

3

Tensiones y corrientes en el transistor
Movimiento de cargas en el transistor

El emisor y el colector están fuertemente “dopados” (el
emisor más), mientras quela base está débilmente dopada
y es muy estrecha (<0.01mm)
Se consideran tres corrientes
principales:

Emisor Base Colector

IE = corriente de emisor

IE

IC

IB = corriente de base

P

IC =...