GAL (PLD'S)

GAL22V10:
Hoja de Datos:
• Alto rendimiento E2 CMOS ® Tecnología
: Retraso de propagación de máximo ns 4
— Fmax = 250 MHz
— 3,5 ns máximo de entrada de reloj a la salida de datos
: UltraMOS ®Avanzada tecnología CMOS
• PULL-UPS ACTIVAS EN TODOS LOS PINES
• COMPATIBLE CON DISPOSITIVOS ESTÁNDAR 22V10
: Compatible con función/fusibles-mapa/paramétrico
Con Bipolar y dispositivos de 22V10UVCMOS
• IN de reducción de 50% a 75% de energía VERSUS BIPOLAR
-CPI típico 90mA en dispositivos de baja potencia
-CPI típico de latencia en cuarto poder dispositivo
• E 2 Tecnología de celda
—Lógica reconfigurable
: Celdas reprogramable
: Rendimientos de Tested/100% 100 %
— Alta velocidad eléctrica eliminación (< 100ms)
: Año 20 retención de datos
• DIEZ SALIDA LÓGICA MACROCELLS
—La máxima flexibilidad para diseños complejos de lógica
• PRECARGA Y ENCENDIDO RESET DE REGISTROS
: Prueba funcional 100 %
• APLICACIONES INCLUYEN:
: Control DMA
: Control de máquina Estado
—Alta acelerar el procesamiento de gráficos
— Actualización de velocidad lógica estándar
• FIRMA ELECTRÓNICA PARA IDENTIFICACIÓN

Descripción:
El GAL22V10, al tiempo de retardo de propagación máximo4n, combina un proceso CMOS de alto rendimiento con eléctricamente borrable (E2) flotante tecnología de puerta para proporcionar el máximo rendimiento disponible de cualquier dispositivo de 22V10 enel mercado. Un circuito CMOS permite la GAL22V10 que consumen mucho menos energía en comparación con los dispositivos 22V10 bipolar. E2 tecnología ofrece alta velocidad (< 100ms) Borrar veces, lo quepermite reprogramar o reconfigurar el dispositivo de forma rápida y eficiente.
La arquitectura genérica proporciona máxima flexibilidad permitiendo la salida lógica macrocélulas (OLMC) para serconfigurados por el usuario. El GAL22V10 es totalmente función/fusibles mapa/paramétrica compatible con el estándar bipolar y CMOS 22V10 dispositivos. Un circuito de prueba única y células reprogramable...