Gate Bipolar Transistor

GBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
I
Es un dispositivo híbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los apartados anteriores, o sea, el IGBT reúne la facilidad dedisparo de los MOSFET con las pequeñas pérdidas en conducción de los BJT de potencia. La puerta está aislada del dispositivo, con lo que se tiene un control por tensión relativamente sencillo. Entre elcolector y el emisor se tiene un comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor es muy cercano a lo ideal.

Su velocidad de conmutación, en principio, similar a la de los transistoresbipolares, ha crecido en los últimos años, permitiendo que funcione a centenas de kHz, en componentes para corrientes del orden de algunas decenas de Amperios.
principio de funcionamiento
La estructuradel IGBT es similar a la del MOSFET, pero con la inclusión de una capa que forma el colector del IGBT, Gracias a la estructura interna puede soportar tensiones elevadas, típicamente 1200V y hasta 2000V(algo impensable en los MOSFETs), con un control sencillo de tensión de puerta. La velocidad a la que pueden trabajar no es tan elevada como la de los MOSFETs, pero permite trabajar en rangos defrecuencias medias, controlando potencias bastante elevadas.
En términos simplificados se puede analizar el IGBT como un MOSFET en el cual la región N- tiene su conductividad modulada por la inyección deportadores minoritarios (agujeros), a partir de la región P+, una vez que J1 está directamente polarizada. Esta mayor conductividad produce una menor caída de tensión en comparación a un MOSFETsimilar.

El control del componente es análogo al del MOSFET, o sea, por la aplicación de una
polarización entre puerta y emisor. También para el IGBT el accionamiento o disparo se hace
por tensión.
Lamáxima tensión que puede soportar se determina por la unión J2 (polarización directa) y por J1 (polarización inversa). Como J1 divide 2 regiones muy dopadas, se puede concluir que un IGBT no...