grafeno





1. Técnica Czochralski

El proceso de fabricación, utiliza como material inicial silicio policristalino de altísima pureza. Este material se funde y luego se deja solidificar lentamentehasta formar un único gran cristal de silicio. Luego, este gran cristal es cortado transversalmente en rodajas, llamadas obleas o “wafers”.

El proceso de crecimiento del cristal comienza cargado enun crisol de cuarzo trozos de silicio policristalino con cantidades controladas de impurezas. El crisol con el silicio policristalino y sus impurezas es introducido a un horno de calentamiento porinducción, hasta provocar su fundición. Luego, se sumerge en la mezcla fundida una varilla de silicio monocristalino conteniendo las mismas características de concentración de impurezas y de estructuracristalina. Solo se permitirá una mínima porción de la varilla se funda, y luego se disminuirá la temperatura lo suficiente como para comenzar la recristalización. (fig 2.4).La varilla se retirará unavez que el cristal haya crecido uniformemente. De estar los resultados acorde a lo deseado, se cortara en “wafers” para su posterior procesamiento. Luego que las obleas de material semiconductorintrínseco hayan sido prepadas mediante el rectificado y el pulido de sus caras, las mismas serán cubiertas con boro de un lado y con fósforo del otro, los cuales actuaran como materiales de dopaje, luegode llo, la obela se ubicará en el horno y la elevada temperatura difundirá los materiales de dopaje en la oblea de silicio en cantidades precisas y controladas. De este proceso surge una juntura PN.Una vez realizado esto, la oblea se enjuagará en agua, se secará y se preparará la superficie de la misma para relaizar electrolíticamente sobre el silicio un depósito de níquel sobre ambas caras, queluego de otros procesos intermedios será recubierto con tro de oro. La película de oro aplicada actuará como un excelente base para la soldadura en el proceso final de armado y encapsulado....