Guia_MOSFET

SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA
SISTEMA INTEGRADO DE GESTIÓN
Procedimiento Ejecución de la Formación Profesional Integral

Versión: 02
Código: GFPI-F-019

GUÍA DE APRENDIZAJE

GUÍA DE APRENDIZAJE Nº

002

1. IDENTIFICACIÓN DE LA GUIA DE APRENDIZAJE
Programa de Formación:

Nombre del Proyecto:

Código:224208
Versión: 100
Código:

Fase del proyecto:
Actividad (es) de
Aprendizaje:
ActividadProyecto:

(es)

del

Iinspeccionar los dispositivos
electrónicos usados en los
sistemas de iluminación, según
procedimientos y estándares
nacionales e internacionales y
las normas ambientales y de
seguridad industrial

Resultados de
Aprendizaje:

Inspeccionar los circuitos y
sistemas electrónicos usados en los
procesos industriales de acuerdo a
las especificaciones técnicas del
fabricante.Inspeccionar el historial de la
maquinaria puntualizando fallas
críticas o consecutivas de acuerdo
con los reportes de daño.

Mantenimiento Electrónico e Instrumental
Industrial

Construcción de equipos Prototipo a pequeña
escala para una estación de audio
Análisis
Ambiente de MATERIALES DE FORMACIÓN
formación
DEVOLUTIVO CONSUMIBLE
ESCENARIO:
(Herramienta (unidades
- equipo)
empleadas
Ambiente de
duranteel
Potencia
Portátiles,
programa)
Fuente de
Poder,
protoboard,
herramientas
de circuitos.

Competencia:

Detectar fuentes térmicas o de
vibraciones que produzcan fallas
en la maquinaria evitando paradas
de maquina

Duración de la guía ( en
horas):

Resistencias,
integrados y
cables

280501016 - Inspeccionar de los
bienes los sistemas electrónicos
e
instrumental
industrial
comprobando su estadoactual
con
relación
a
sus
especificaciones técnicas.E

18 Horas

Página 1 de 7

SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA
GUÍA DE APRENDIZAJE

SISTEMA INTEGRADO DE GESTIÓN
Proceso Gestión de la Formación Profesional Integral
Procedimiento Ejecución de la Formación Profesional Integral

Versión: 02
Fecha: 30/09/2013
Código: F004-P006-GFPI

2. INTRODUCCIÓN

Introducción
En este capítulo vamos a abordarel estudio de un dispositivo de tres terminales cuyo rango
de aplicabilidad coincide en muchos casos, con el del transistor BJT visto con anterioridad. A los
transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET (Field Effect
Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos: Transistor de Efecto de Campo de
Unión: JFET (Junction Field Effect Transistor) y Transistor deEfecto de Campo Metal - Óxido Semiconductor: MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

Ilustración 1, Tipos de FET

Ilustración 2, Mosfet P y Mosfet n

Página 2 de 7

SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA
GUÍA DE APRENDIZAJE

SISTEMA INTEGRADO DE GESTIÓN
Proceso Gestión de la Formación Profesional Integral
Procedimiento Ejecución de la Formación Profesional Integral

Versión:02
Fecha: 30/09/2013
Código: F004-P006-GFPI

3. ESTRUCTURACION DIDACTICA DE LAS ACTIVIDADES DE APRENDIZAJE

3.1Actividades de Reflexión inicial

Vamos a comenzar el estudio de este tipo de transistores viendo algunas de las principales
analogías y diferencias existentes entre los transistores FET y los BJT. En primer lugar, la
principal diferencia entre ambos radica en el hecho de que eltransistor BJT es un dispositivo
controlado por corriente, mientras que los transistores FET son dispositivos controlados por
tensión. En ambos casos, la corriente del circuito de salida es controlada por un parámetro
del circuito de entrada, en un caso el nivel de corriente y en el otro el nivel de tensión aplicada.
En los transistores FET se crea un campo eléctrico que controla la anchura del camino deconducción del circuito de salida sin que exista contacto directo entre la magnitud controlada
(corriente) y la magnitud controladora (tensión).
De forma análoga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los
transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de canal n y de canal p.
Una diferencia importante entre ambos tipos de transistores consiste en que...