guia practica de diac

Laboratorio de Electrónica
XV Práctica XV
Conmutación con DIAC y TRIAC

1. El rectificador controlado de silicio (SCR)
En esta práctica se van aestudiar dos dispositivos de potencia: el TRIAC, como ejemplo de dispositivo de control y el DIAC, como ejemplo de dispositivo de disparo. No obstante, para entender mejor estos dispositivos resultainteresante introducir previamente el rectificador controlado de silicio (SCR, Silicon Controlled Rectifier).
El SCR es un dispositivo de tres terminales (ánodo, cátodo y puerta) y cuatro capas (pnpn), cuyaestructura se muestra en la figura 1, junto con su símbolo circuital.



Al aplicar al SCR una tensión VAK positiva, las uniones JA y JK quedan polarizadas en directa, mientras que la unión JC(control) se polariza en inversa, de modo que la corriente es prácticamente nula y toda la tensión VAK cae en la unión JC. Si la tensión VAK supera el valor de ruptura de la unión JC (VB0); o lo que eslo mismo, si la corriente del ánodo IA supera el valor de enclavamiento IL, se produce un brusco aumento de la corriente; es decir, se produce el disparo del SCR.
Una vez que se ha producido eldisparo, disminuye la resistividad de las capas, especialmente de la capa n–, con lo que la tensión VAK necesaria para mantener la conducción disminuye considerablemente. Además, el SCR no limita lacorriente por lo que será necesario limitarla externamente. Para que el SCR vuelva a su estado de corte es necesario que la corriente del ánodo disminuya por debajo del valor de mantenimiento IH.
Latensión a la que se produce el disparo puede controlarse mediante la corriente de puerta IG. A medida que IG aumenta, el disparo se produce para un valor de VAK menor.
Si VAK es negativa el SCR secomporta como un diodo, con una corriente negativa muy pequeña, salvo que se supere una determinada tensión de ruptura VB.
La figura 2 muestra las características de un SCR, en las que se han...