Guia Progs ensayar

LABORATORIOS DE:
DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO Y DE ENTRADA/SALIDA.
MEMORIAS Y PERIFÉRICOS.

PRÁCTICA #4
MEMORIAS DE LECTURA – ESCRITURA SEMICONDUCTORAS



OBJETIVO DE LA PRÁCTICA.Comprender la estructura y el funcionamiento interno de las memorias de lectura escritura semiconductoras.

Implementar una memoria RAM de 2 x 2, utilizando para ello principalmente circuitos debaja y media escala de integración.

Emplear las propiedades del buffer “tres estados”, para entender la configuración “bus bidireccional” presente en la mayoría de los dispositivos dealmacenamiento (memorias).



INTRODUCCIÓN.


A las memorias de lectura - escritura semiconductoras se les conoce también como memorias RAM (Random Access Memory) en donde el tiempo de acceso paracualquier localidad es el mismo o sea es una constante, no importando que localidad se quiera acceder. Cabe hacer la aclaración que las memorias ROMs son también memorias de acceso aleatorio.


Existendos tipos de memorias de lectura - escritura semiconductoras, las RAM estáticas y las RAM dinámicas, en las primeras el elemento de almacenamiento es el circuito biestable o flip - flop, el cualmantiene la información mientras este conectado a la fuente de alimentación, en cambio en las celdas de la memoria RAM dinámicas, el elemento de almacenamiento es la capacitancia parásita que existe entre elgate y el source de los transistores mosfet, por lo cual la información se mantendrá por algunos milisegundos sin degradación notable, teniéndose que efectuar a continuación el proceso de refresco,el cual consiste en recargar aquellas capacitancias que presenten un voltaje alto.


En las memorias ROM, RAM estáticas y RAM dinámicas de construcción monolítica, podremos observar que el flujo dedatos desde la memoria hacia exterior y desde el exterior hacia la memoria se realiza por líneas bidireccionales, es decir, un chip de memoria con la capacidad de guardar una palabra de longitud 8...