Guia10SD

Sistemas Digitales. Guía 10 1
Facultad: Ingeniería
Escuela: Electrónica
Asignatura: Sistemas digitales
Lugar de Ejecución: Fundamentos Generales.
Edificio 3.

Tema: USO DE MEMORIAS RAM Y ROM
Objetivo general
Usar memorias RAM y ROM

Objetivos específicos
•

Manejar operaciones básicas en memorias.

•

Utilizar memorias para implementar bloques de mayor capacidad.

Materiales y equipo
•
•
•
•
•
••
•
•
•
•

1 Unidad PU-2000
1 Computadora con el programa Circuit maker
1 Breadboard
1 IC RAM 2114
1 74244
1 7404
4 Resistencias limitadoras
4 LEDs
2 Puntas para PU
1 Pinza
1 Cortadora de alambre

Tarea previa
Leer el tema de clase correspondiente.
Simule los dos circuitos que se presentan en la guía: figuras 10.1 y 10.2

Procedimiento
MEMORIA ROM
1.

Simule el circuito mostrado en la figura 10.1 enel Circuit maker.

2

Sistemas Digitales. Guía 10

Figura 10.1 Memoria PROM
2.

De clic derecho sobre la memoria PROM y seleccione la opción “Edit
PROM/RAM”, se mostrará la tabla con las localidades de memoria y sus datos
respectivos (que inicialmente están en cero).

3.

Deben ingresarse los datos que se almacenaran en las localidades de
memoria, para ello dé doble clic sobre la direcciónDirección
Dato
0000, se le abrirá una ventana para que ingrese el
000
01
dato que quiere guardar en esa localidad, escriba
01 y de clic en el botón “OK”.
001
03
Siga el mismo proceso para llenar los datos en las
002
07
direcciones que muestra la tabla 10.1
003
1F
Ya ingresados los datos corra la simulación.
004
3F
Coloque CS en +5V anote el código binario en los
005
7F
LEDs:________________________006
FF
Coloque el terminal CS esta a cero voltios y
observe los datos.
007
AA

4.
5.
6.
7.
8.

Ajuste todos los interruptores conectados a las
líneas de dirección a cero voltios, y observe los
LEDs y debería aparecer el dato 01h.

9.

De la misma forma verifique que los otros datos
están almacenados en las direcciones indicadas en la tabla 10.1.

10. Duplique la memoria PROM32 ya programada.
11.Implemente el circuito de la figura 10.2
12. Verifique las siguientes direcciones:

Tabla 10.1. Contenido
de las posiciones de la
memoria PROM

Sistemas Digitales. Guía 10 3

Dirección

Dato

Dirección

000h

020h

001h

021h

002h

022h

003h

023h

004h

024h

005h

025h

006h

026h

007h

027h

Dato

Tabla 10.1. Contenido de las posiciones de la
memoria con expansión de cantidad de palabrasFigura 10.2 Memoria PROM
MEMORIA RAM
13. Analice el circuito que se muestra en la figura 10.3, tome en cuenta la
siguiente información:
•

Este circuito posee un CI74244 que es un buffer tri-estado, el cual es
muy usado para proteger memorias a las que se les sobrescriba, o que
le entren datos cuando deberían estar saliendo.

•

La compuerta NOT es para garantizar que los datos a la salida serán losque procedan de la RAM y no los que entran a la misma.

•

Los terminales A9 a A3 se conectan a tierra debido a que no se
utilizarán direcciones de memorias mayores a 007

4

Sistemas Digitales. Guía 10

14. Arme en breadboard el circuito mostrado en la figura 10.3, el pin-out de la
memoria RAM 2114 y del buffer 74244 se muestra en la figura 10.4.

Figura 10.3 Lectura y escritura de la memoria RAMFigura 10.4 Terminales de la memoria RAM 2114 y del buffer triestado 74244
15. Coloque el dato Ah (1010b) en la localidad de memoria 007h (0000000111b).
colocando primero la dirección, luego el dato y pase el switch que está
conectado a la línea WE a cero (Función escribir) y luego regréselo a uno
(Función leer).
16. Realice el mismo proceso para escribir los datos en las direcciones que semuestran en la tabla 10.1

Sistemas Digitales. Guía 10 5

17. Ajuste el switch que está conectado a la línea WE en uno, coloque en las
líneas de direcciones el dato 004h y compruebe que ahí está el dato
almacenado previamente (Eh=1110b).
18. Compruebe que los otros datos también están presentes en las direcciones
indicadas.
19. Apague la fuente un momento y vuélvala a encender, verifique que los...