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 EXPERIMENTO Nº 6

Transistores de Campo JFET Y MOSFET

I.-OBJETIVO:

-Complementar en la práctica los transistores de campo JFET Y MOSFET, donde se podrá ver el uso del FET como amplificador para pequeñas señales   y generar corriente continua.
-Estudiar el comportamiento de un amplificadorcon Transistor FET frente a una pequeña señal de entrada. Realizar mediciones de tensión, corrientes e impedancias.

NOTA: El profesor debe realizar una breve introducción del experimento y sus objetivos. Así mismo debe permanecer durante toda la sesión del experimento, para responder y formular las preguntas necesarias.

II.-EQUIPOS Y MATERIALES:
- Osciloscopio
- Generador de funciones- 1 Fuente de alimentación
- 1 Multímetro digital
-Protoboard.
- Un JFET K30A
-Resistores ½ W: de 270Ω, 1.8KΩ, 1MΩ
-Condensador Electrolítico de 4.7μF y 47μF.
-Potenciómetro de 5 koh.

III.-DESCRIPCION BASICA:

Transistores de Campo FET
El JFET de canal n está constituido por unabarra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo P dopadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).
En la figura 1 a) se describe un esquema de un JFET de canal n b) el símbolo de este dispositivo
c) el símbolo de un JFET de canal PFig. 1
La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente polarizadas. En un JFET de canal N, o NJFET, la tensión de drenador debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a través de canal. Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente para que la unión p-n se encuentre polarizadoinversamente. Ambas polarizaciones se indican en la siguiente figura:

Región de corte
En esta región la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0). En este caso, la tensión entre puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de inversión bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y fuente. En las hojas técnicas se denomina a esta tensión como deestrangulamiento o pinch-off y se representa por Vgs (off).
.Por ejemplo, el BF245A tiene una Vgs (off)=-2V.
 Región lineal
En esta región, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que es utilizada en muchas aplicaciones donde se precise una resistencia variable controlada por tensión. El fabricante proporciona curvas de resistencia drenador-fuente, para diferentes valores de Vgs.
Tal como semuestra en la figura 2.
Región de saturación
De similares características que un BJT en la región lineal, el JFET tiene unas características lineales que son utilizadas en amplificación. Se comporta como una fuente de intensidad controlado por la tensión Vgs cuya ID es prácticamente independiente de la tensión Vds.

La ganancia de voltaje de un amplificador FET puede obtenerse del circuitoequivalente de ac. Del circuito equivalente de ac se puede observar que:
VO = - (gm.Vgs)(RD||rd)
AV = VO/Vi = [- (gm.Vgs)(RD||rd)]/Vgs
AV = - gm. (RD||rd)
Si el valor de la resistencia del dispositivo, rd, es mucho mayor que la resistencia del circuito, RD, la ecuación para la ganancia de voltaje es casi igual a:
AV = - gm. RDIV.- PROCESO OPERATIVO:
1.-Implemente el circuito de la siguiente figura .1 c


El circuito llevado protoboard



Mediando los valores que piden en el cuadro


Energice el generador de señales a una frecuencia de 1 KHz y obtenga un nivel de señal de 100 m VPP, conecte el generador de entrada del amplificador y observe la señal de salida la cual debe ser una onda senoidal...