Hoja de calculo

MATERIA:

ELECTRÓNICA I

PRÁCTICA 3:
EL TRANSISTOR

Vera Jiménez Alejandro

García del Río Oliver Omar

Irapuato, Guanajuato a Julio de 2005.

INTRODUCCIÓN

Un transistor BJT es aquel dispositivo electrónico que está construido por 3 materiales semiconductores extrínsecos de forma PNP o NPN, decir, porción de material N, seguido de material P, luego otra porción de material N, enel tipo NPN, y de forma análoga en el PNP, pero con los materiales semiconductores inversos. El transistor BJT se conoce también como transistor bipolar, porque la conducción es a través de huecos y electrones.

La zona central se denomina base, las otras dos se denominan colector y emisor. El emisor se construye estrecho y muy dopado, la base es estrecha y menos dopada y el colector es la zonamás ancha. Para proteger el material semiconductor, se emplean el encapsulado, que puede ser plástico, de baquelita o metálico. A pesar de la poca disipación de energía que tienen los transistores en determinadas ocasiones es necesario el empleo de disipadores de calor para favorecer la ventilación del transistor.

El transistor sin polarizar puede considerarse como dos diodos contrapuestos, conuna barrera de potencial de 0.7 volts para cada diodo. Si se polariza ambos diodos directa o inversamente, se comportarán permitiendo o no el paso de la corriente como se sabe. El efecto de amplificación en el transistor se crea al polarizar directamente la unión base-emisor e inversamente la unión del colector – base.

Objetivo:

Identificará por su nombre cada una de las terminales deltransistor, utilizará el multimetro, y calculará teórica y prácticamente la ganancia de corriente de un transistor.

Maquinaria y Equipo:

- 1 Multimetro

- 1 fuente de voltaje variable de DC

- 1 Plantilla de experimentos

Materiales:

- 1Transistor 2N3904

- 1 Resistencia de 1 kohms, 100 Kohms

- 1 Resistencia de 4.7 K, 47 K

- 1 Resistencia de 1 Mohm

- Una navaja

- Pinzas depunta y corte

- Alambre calibre 22

DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

1.- El equipo conformado por los alumnos Oliver García y Alejandro Vera, siguiendo los pasos establecidos en la práctica a seguir nos dimos a la tarea de armar el circuito que se muestra a continuación:

[pic]

2.- Enseguida, medimos la corriente del colector para varios valores de R. En cada caso , calculamos la corrientede base Ib de la siguiente manera:

Ib= 4.3/Rb
Rb = R + 1 Kohm

3.-Posteriormente, registramos en la siguiente tabla los resultados obtenidos, y calculamos en cada caso la ganancia de corriente.

|R (ohms) |Ib calculada |Ib medida |Ic medida |( |
|1 M |4.29 (A |4.47(A |0.085 mA |200 |
|470 K |9.12 (A |9.22 (A |1.82 mA |200 |
|100 K |42.57 (A |42.89 (A |8.5 mA |200 |
|47 K |89.58 (A|89.76 (A |17.91 mA |200 |
|4.7 M |0.914 (A |0.932(A |0.018 mA |200 |

4.- Por último, graficamos el logaritmo con Vce e Ic, quedando de la siguiente manera:

Ic (mA)
5

1.82 __ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _Q1

0.085 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ Q2
0.018 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _Q3

4.85 4.80 4 97 5Vce (volts)

CUESTIONAMIENTOS ACERCA DE LA PRÁCTICA

5.- ¿Por qué resulta útil amplificar señales?

6.- ¿A que se debe que la resistencia de la unión base-colector sea mayor...