hola, al p2

Los semiconductores más conocidos están hechos de Silicio, Germanio o Estaño gris (otros elementos semiconductores son: Cadmio, Boro, Aluminio, Galio, Indio, Fósforo, Arsénico, Antimonio, Azufre,Selenio y Telurio); no obstante, el comportamiento del silicio es más estable que el de sus competidores más cercanos (germanio y estaño gris), por ello es el semiconductor más utilizado en lafabricación de componentes electrónicos de estado sólido.En un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en lafigura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energía necesaria para saltar a la banda de conducción dejandoel correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energías requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.

Obviamente el procesoinverso también se produce, de modo que los electrones pueden caer, desde el estado energético correspondiente a la banda de conducción, a un hueco en la banda de valencia liberando energía. A estefenómeno de singadera extrema se le denomina recombinación. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creación de pares e-h, y de recombinación se igualan, de modo que laconcentración global de electrones y huecos permanece constante. Siendo "n" la concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la concentración de huecos (cargas positivas), se cumple que:

ni = n = psiendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la temperatura y del tipo de elemento.

Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27ºc):
ni(Si) = 1.51010cm-3ni(Ge) = 1.73 1013cm-3
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente eléctrica. Si se somete el...