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Tema 4. El Transistor de Unión Bipolar.

Tema 4

EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR.
BJT (Bipolar Junction Transistor).
1.

Introducción.

2.

Estructura básica.

3.

Símbolos y convenios de signos.

4.

Zonas de funcionamiento.

5.

Corrientes en la zona activa

6.

Ecuación de Ebbers-Möll.

7.

Curvas características en base común.
7.1. Curvas Características deentrada
7.2. Curvas Características de salida

8.

Curvas características en emisor común.
8.1. Curvas Características de entrada
8.2. Curvas Características de salida

9.

Curvas características en colector común.

10.

Curva de puntos característicos.

11.

Punto de funcionamiento

12.

Polarización del transistor
12.1. Circuito de polarización de base (polarización fija)12.1.1. Dependencia con beta
12.1.2. Influencia de VCC
12.1.3. Influencia de RC
12.1.4. Influencia de RB
12.2. Efecto de RE
12.3. Circuito de polarización por divisor de tensión

13.

El transistor como amplificador

14.

El transistor como interruptor

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Tema 4. El Transistor de Unión Bipolar.

1.- INTRODUCCIÓN.

Hemos empezado la asignatura estudiando los materiales de losque están
formados los principales dispositivos electrónicos de estado sólido, los
semiconductores. Continuamos con el estudio del dispositivo semiconductor más
sencillo, el diodo de unión. Dispositivo, que como hemos visto en los temas anteriores,
consta de dos partes diferenciadas con un terminal en cada una de ellas, es decir, se
trataba de un dispositivo de dos terminales. Siguiendo conel estudio de los dispositivos
electrónicos vamos a avanzar un paso más y vamos a estudiar un dispositivo
semiconductor que consta de tres zonas distintas, con dos uniones pn y con un terminal
en cada una de las zonas, o lo que es lo mismo, estamos ante un dispositivo de tres
terminales: El transistor.
Sin ninguna duda, estamos ante uno de esos grandes inventos que han marcado
un punto deinflexión en la historia de la Humanidad, como en su día lo fueron el
descubrimiento del fuego, la invención de la rueda o la máquina de vapor entre otros. El
descubrimiento del transistor a principios del siglo XX (1947) marcó el comienzo de la
era de la electrónica. En apenas 60 años el desarrollo experimentado y el grado de
penetración en la vida cotidiana ha sido tal que hoy en día esdifícil pensar en cómo
sería la vida sin los ordenadores, la telefonía, la radio, la televisión…Y ha sido,
precisamente, el descubrimiento del transistor el “culpable” de esta revolución
tecnológica.

2.- CONSTRUCCIÓN DEL TRANSISTOR.

Aunque existen otros tipos de transistores (en este mismo curso veremos otros
en el tema 7) en este capítulo vamos a abordar el estudio del transistor de uniónbipolar,
también conocido por la iniciales de su denominación en ingles BJT (Bipolar Junction
Transistor). El término bipolar hace referencia al hecho de que en la conducción de la
corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos). El termino
junction (unión) hace referencia a la estructura del dispositivo, ya que como veremos a
continuación tenemos dos uniones pn en eltransistor y mediante la polarización de estas
uniones conseguiremos controlar el funcionamiento del dispositivo.
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Tema 4. El Transistor de Unión Bipolar.

El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una zona de
material tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este caso se denomina
transistor pnp, o bien tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cadalado, en cuyo
caso estaríamos hablando de un transistor npn.

npn
Figura 4.1.-

pnp

Estructura del transistor BJT.

La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de
las zonas consta de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos terminales se
representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emitter), B (base) y C
(colector)....