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Universidad Autónoma de Querétaro


Facultad de Informática


Electrónica analógica








Prueba de transistores

Para un transistor tipo NPN se experimenta un valor deresistencia baja menor a 1k homs
Midiendo de la siguiente manera la punta positiva en la base y la negativa en el emisor (medición en directa).
En inversa la resistencia es muy alta PNP.
Define el valorde Ic(q) y el voltaje Ce para el siguiente circuito
R1 = 6.8 K HOMS
R2 = 1 K HOM
R3 = 1 K HOM
R4 = 4.7 K HOMS

Transistores
BC547 – NPN
BC557 -- PNP
Mida los siguientes valoresTRANSISTOR
SILICIO BC 547
BC557
RBE
499 K HOMS
Muy alta resistencia
RBC
490 K HOMS
Muy alta resistencia
REB
Muy alta resistencia
490 K HOMS
RCB
Muy alta resistencia
495 K HOMS
REC
Muy altaresistencia
Muy alta resistencia
RCE
Muy alta resistencia
Muy alta resistencia

VB
VBE
Vc
Ib
Ic
0.0v
0.0v
10v
0.0v
0.0v
10v
0.8v
4.5v
0.9v


Siguiente circuito:
Vb(q)
Vbe
VceIb
Ic
3.18v
0.8v
7.6v
0.0v
35.66 ma


En base a los datos obtenidos en la primera tabla
Si se diera un transistor TBJ
¿Qué mediciones aria usted para saber la distribución de susterminales y si en cuestión es un NPN o PNP?
Midiendo la resistividad que tiene, midiéndolo de la basa al emisor y con un multímetro que tenga la función de probar transistores. Otra manera seria buscarsus especificaciones.
Explique los dos circuitos armados
En base a los datos de la última tabla calcule teóricamente el voltaje VB VBE VCE IB IC

Amplificador El objetivo

Comprobar laacción amplificadora de un transistor
Describe en bases experimentales el efecto del capacitor de desvío bypass sobre la ganancia en voltaje del amplificador el efecto del capacitor de acoplamiento sobrela carga sobre la señal de salida de un amplificador de emisión común
Arme el siguiente circuito
Calibre su generador para obtener un voltaje de entrada = 15 seno milivolts, a una frecuencia de...