Hugo
Páginas: 12 (2844 palabras)
Publicado: 3 de febrero de 2014
Universidad Tecnológica del Sureste de Veracruz
Carrera:
TSU-Mecatronica
Materia:
Elementos Dimensionales
Grupo:
204 – 2do Cuatrimestre
Nombre del alumno:
VELÁZQUEZ GONZÁLEZ LUIS OSCAR
Profesor:
LIC. HUGO S. MATEOS TORRES
Trabajo:
EL USO DE GRAFENO EN TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Objetivo General
Analizar losavances que se han logrado con el uso de Grafeno en transistores de Efecto de Campo
Índice
Referencias………………………………………………….1
Marco Teórico………………………………………………..6
Resumen……………………………………………………….7
Bibliografía………………………………………………………8
Referencias
El equipo de la Universidadde Manchester anunció el primer transistor basado en el grafeno al mismo tiempo que el descubrimiento de este material, y otros grupos
han reproducido recientemente este resultado. Pero estos transistores de grafeno presentaban muchas "pérdidas", lo que ha limitado sus posibles aplicaciones.
Mauricio Luque, Solo ciencia, 2013
http://www.solociencia.com/quimica/07041005.htm
Lostransistores de grafeno no solo son rápidos, sino muy sólidos. Los dispositivos siguen funcionando incluso después de mojarse en agua, y son lo suficientemente flexibles como para plegarse. "A medida que haces que la [electrónica] sea más delgada, las propiedades mecánicas son cada vez mejores", asegura Javey. "Y el grafeno es el material más delgado que puedes conseguir".
KATHERINE BOURZAC, MITTECHNOLOGY REVIEW, 23 DE AGOSTO DE 2013
http://www.technologyreview.es/read_article.aspx?id=43735
Un transistor de grafeno desarrollado por expertos norteamericanos ha obtenido un nuevo récord mundial en cuanto a la velocidad de este tipo de dispositivos, logrando llegar a una frecuencia de hasta 300 GHz. La innovación se ha concretado luego de hacer frente con éxito a los distintos problemas quesupone el grafeno a la hora de integrarlo a dispositivos electrónicos.
University of California, Revista Electrónica de Ciencia, Tecnología, Sociedad y Cultura, 31 de enero de 2014
http://www.tendencias21.net/Logran-un-transistor-de-grafeno-de-300-GHz_a4804.html
Ahora es IBM la que va a presentar los avances que han logrado en sus investigaciones, con las que han conseguido construirtransistores de radiofrecuencia que operan a 100 GHz, mientras que los actuales transistores sólo llegan a operar a 40 GHz. Recordemos que el grafeno es un derivado del grafito descubierto en el año 2004, destacando por el hecho de que su uso elimina el problema de generación de ruido existente en los actuales procesadores de silicio.
5 de febrero de 2010http://www.betazeta.com/#!/zootv/fayerwayer/post/ibm-trabaja-con-transistores-de-grafeno
Del amplio interés en la electrónica de grafeno en la última década, los transistores de alto rendimiento de grafeno de efecto de campo (GFETs) sobre sustratos flexibles han sido rara vez se logra, a pesar de que esta hoja atómica es ampliamente entiende que tienen mayores perspectivas de los sistemas electrónicos flexibles.
13 de agosto de2013
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nn403487y?journalCode=ancac3
Los transistores de grafeno con una longitud de canal tan bajo como 140 nm han sido fabricados con la más alta escala de corriente (3.32 mA μ m -1) y transconductancia (1,27 mS μ m -1 ) reportaron hasta ahora. Significativamente, en el chip mediciones de microondas demostrar que los dispositivos de auto-alineado tienen unalto corte intrínseca (tránsito) de frecuencia de f T = 100-300 GHz.
Departamento de Química y Bioquímica de la Universidad de California, Nature, 16 de septiembre de 2010
http://www.nature.com/nature/journal/v467/n7313/full/nature09405.html#/author-information
MARCO TEORICO
El grafeno ha atraído considerable interés como un potencial...
Universidad Tecnológica del Sureste de Veracruz
Carrera:
TSU-Mecatronica
Materia:
Elementos Dimensionales
Grupo:
204 – 2do Cuatrimestre
Nombre del alumno:
VELÁZQUEZ GONZÁLEZ LUIS OSCAR
Profesor:
LIC. HUGO S. MATEOS TORRES
Trabajo:
EL USO DE GRAFENO EN TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Objetivo General
Analizar losavances que se han logrado con el uso de Grafeno en transistores de Efecto de Campo
Índice
Referencias………………………………………………….1
Marco Teórico………………………………………………..6
Resumen……………………………………………………….7
Bibliografía………………………………………………………8
Referencias
El equipo de la Universidadde Manchester anunció el primer transistor basado en el grafeno al mismo tiempo que el descubrimiento de este material, y otros grupos
han reproducido recientemente este resultado. Pero estos transistores de grafeno presentaban muchas "pérdidas", lo que ha limitado sus posibles aplicaciones.
Mauricio Luque, Solo ciencia, 2013
http://www.solociencia.com/quimica/07041005.htm
Lostransistores de grafeno no solo son rápidos, sino muy sólidos. Los dispositivos siguen funcionando incluso después de mojarse en agua, y son lo suficientemente flexibles como para plegarse. "A medida que haces que la [electrónica] sea más delgada, las propiedades mecánicas son cada vez mejores", asegura Javey. "Y el grafeno es el material más delgado que puedes conseguir".
KATHERINE BOURZAC, MITTECHNOLOGY REVIEW, 23 DE AGOSTO DE 2013
http://www.technologyreview.es/read_article.aspx?id=43735
Un transistor de grafeno desarrollado por expertos norteamericanos ha obtenido un nuevo récord mundial en cuanto a la velocidad de este tipo de dispositivos, logrando llegar a una frecuencia de hasta 300 GHz. La innovación se ha concretado luego de hacer frente con éxito a los distintos problemas quesupone el grafeno a la hora de integrarlo a dispositivos electrónicos.
University of California, Revista Electrónica de Ciencia, Tecnología, Sociedad y Cultura, 31 de enero de 2014
http://www.tendencias21.net/Logran-un-transistor-de-grafeno-de-300-GHz_a4804.html
Ahora es IBM la que va a presentar los avances que han logrado en sus investigaciones, con las que han conseguido construirtransistores de radiofrecuencia que operan a 100 GHz, mientras que los actuales transistores sólo llegan a operar a 40 GHz. Recordemos que el grafeno es un derivado del grafito descubierto en el año 2004, destacando por el hecho de que su uso elimina el problema de generación de ruido existente en los actuales procesadores de silicio.
5 de febrero de 2010http://www.betazeta.com/#!/zootv/fayerwayer/post/ibm-trabaja-con-transistores-de-grafeno
Del amplio interés en la electrónica de grafeno en la última década, los transistores de alto rendimiento de grafeno de efecto de campo (GFETs) sobre sustratos flexibles han sido rara vez se logra, a pesar de que esta hoja atómica es ampliamente entiende que tienen mayores perspectivas de los sistemas electrónicos flexibles.
13 de agosto de2013
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nn403487y?journalCode=ancac3
Los transistores de grafeno con una longitud de canal tan bajo como 140 nm han sido fabricados con la más alta escala de corriente (3.32 mA μ m -1) y transconductancia (1,27 mS μ m -1 ) reportaron hasta ahora. Significativamente, en el chip mediciones de microondas demostrar que los dispositivos de auto-alineado tienen unalto corte intrínseca (tránsito) de frecuencia de f T = 100-300 GHz.
Departamento de Química y Bioquímica de la Universidad de California, Nature, 16 de septiembre de 2010
http://www.nature.com/nature/journal/v467/n7313/full/nature09405.html#/author-information
MARCO TEORICO
El grafeno ha atraído considerable interés como un potencial...
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