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Informe de
Electrónica Aplicada








Alumnos: Walpert, Sonia-Schaab Emiliano
Tema: Transistores JFET
Curso: 6° Aerofot
Profesor: Ledesma

Transistor JFET
Transistor Canal PTransistor Canal N


Historia
Desde 1953 se propuso su fabricación por Van Nostrand (5 años después de los BJT). Aunque su fabricación no fue posible hasta mediados de los años 80's.Funcionamiento básico

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar laconductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain)y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a lapuerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canalp, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente.
El JFET es un transistor de efecto de campo, esdecir, su funcionamiento se basa en las zonas de deplexión que rodean a cada zona P al ser polarizadas inversamente.
Cuando aumentamos la tensión en el diodo compuerta-fuente, las zonas de deplexión sehacen más grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a drenaje tenga más difucultades para atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexión, cuanto mayor es la tension inversaen el diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por corriente. Casi todos los electrones que pasan a...