Identificacion De Semiconductores

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE MORELIA

“José María Morelos y pavón”

Electrónica de potencia

Practica 1
Identificación de dispositivos semiconductores

Adrián Bedolla Jiménes 09120121 Moises Perez Ortega 09120145

Morelia Mich. A 8 de octubre del 2012

Practica 1 IDENTIFICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES En esta práctica se analizara como se puede identificar un dispositivosemiconductor sin tomar en cuenta su matrícula lo único que se tendrá en cuanta son sus características como dispositivo y de ahí se tomara su comportamiento con un multímetro analógico y se decidirá que dispositivo es, el análisis se sentara en tres dispositivos en los scr, bjt y triacs.

Esta práctica tiene como objetivo el poder tener las herramientas para conocer qué clase de dispositivo es si unono cuenta con la matrícula y con un simple multímetro analógico se determinara de qué dispositivo se trata.

PRUEBA DE TRANSISTORES BIPOLARES

En muchas ocasiones desconocemos cuales son los terminales de un transistor. El procedimiento que daremos es válido para cualquier transistor que funcione correctamente: Primero identificamos la base, para ello con el multímetro en R x 100 colocamos unapunta del multímetro en un terminal y con la otra punta tocamos alternativamente los otros dos. Hacemos esto con los tres terminales, la base será aquella en que la aguja haya deflexionado tanto si la restante punta del multímetro está en un terminal como en el otro. Para entender mejor el procedimiento, supongamos que el negativo (marcado "+" en el multímetro) es el que usamos para hallar labase y se presentan los casos mostrados en la figura 43. Como en ningún caso de la figura la aguja deflexiona, invertimos las puntas del instrumento; es decir, buscamos la base usando como punto común al extremo positivo, tal como se muestra en la figura 44. Una vez encontrada la base y, como en el ejemplo hizo falta colocar en ella la punta positiva para que haya deflexión cuando medimos con losotros dos terminales, el transistor es NPN. Si se hubiese encontrado la base teniendo en ella la punta negativa el transistor sería PNP. Por medio del multímetro podemos localizar el emisor y el colector. Si conectamos el multímetro entre colector y emisor y, por ejemplo, una resistencia entre lo que creemos que es el colector y la base, entonces el transistor estaría polarizado en "polarizaciónfija" y habría corriente de colector que sería acusada por la aguja del multímetro. Como la resistencia de base debe ser de un valor alto, directamente podríamos utilizar los dedos de nuestra mano como si fuese la resistencia de polarización de la base. Para localizar los terminales, elegimos una patita del transistor como emisor y la polarizamos como corresponde. Si ya sabemos que el transistor esNPN, ponemos la punta negativa (marcada "+" en el multímetro) en lo que supongo que es el emisor. La punta positiva la conectamos al

supuesto colector y con los dedos de la mano polarizamos entre base y colector. El selector de escala debe estar en R x 100, tal como se indica en la figura 45. Hecha la prueba, si la aguja deflexiona lo suficiente, el elemento elegido como emisor es realmente elemisor, en caso contrario será el colector. Esta prueba es válida tanto para transistores NPN como PNP, respetando las polaridades

Fig 43

Fig. 44

Fig. 45

MEDICIÓN DE TRIACS

Los rectificadores controlados de silicio (scr) y Triacs son reles electrónicos, es decir, conducen luego de ser excitada la compuerta. Los SCRs se comportan como diodos ya que conducen la corriente en un sólosentido luego de aplicar una tensión positiva en compuerta respecto de cátodo durante un instante. Mientras circule una corriente entre ánodo y cátodo superior a la de mantenimiento, el componente permanecerá activo por más que haya desaparecido la corriente de disparo. Para que el scr funcione, la tensión de ánodo debe ser positiva respecto de la de cátodo. Los Triacs se pueden considerar como...