ieee

SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE (SENA)




Presentado por:

Mateo Sánchez Cruz



Presentado A:

Guillermo Medrano

Programa: ELECTRICIDAD INDUSTRIAL





Resumen:
Su funcionamiento se basa en el efecto fotoeléctrico. Un fotorresistor está hecho de un semiconductor de alta resistencia como el sulfuro de cadmio, CdS. Si la luz que incide en el dispositivo es dealta frecuencia, los fotones son absorbidos por las elasticidades del semiconductor dando a los electrones la suficiente energía para saltar la banda de conducción. El electrón libre que resulta, y su hueco asociado, conducen la electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia. Los valores típicos varían entre 1 MΩ, o más, en la oscuridad y 100 Ω con luz brillante.
Introducción:
El LDR (Light DependentResistor) o resistencia dependiente de la luz o también fotocélula, es una resistencia que varía su resistencia en función de la luz que incide sobre su superficie. Cuanto mayor sea la intensidad de la luz que incide en la superficie del LDR menor será su resistencia y cuanto menos luz incida mayor será su resistencia.
El tiempo de respuesta típico de un LDR está en el orden de la décima desegundo.
Objetivos generales:
Interpretar el funcionamiento del LDR en un circuito.
Objetivos Específicos:
Conocer el tiempo de respuesta que tiene un LDR.
Argumentar el funcionamiento del relé en el circuito asociado al LDR.
Aprender el funcionamiento de la LDR en un poste de alumbrado público.
Marco Teórico:
Fotorresistencia
Solución de preguntas:

ACTIVIDADES
PRACTICA Fotorresistenciapara Control de Alumbrado Público.
1.- Realice el siguiente montaje para verificar funcionamiento de la Fotorresistencia como sensor de una Fotocelda de Alumbrado Público.


Utilice un Transistor 2N2222, un diodo 1N4001, una fotorresistencia, un relé de 12V, y una Lámpara como elementos para realizar el montaje según el esquema.

Adicionalmente debe utilizar una fuente DC de 12V, paraalimentar el circuito y un multímetro para verificar los respectivos voltajes y corrientes.

Si es posible conseguir las curvas características que da el fabricante del transistor para comparar los valores medidos y calculados con los de las tablas características.

Verificar los datos del relevo y determinar voltaje de alimentación de la bobina y capacidad máxima de corriente que pueden manejarlos contactos de este.

A la salida de los contactos del relevo puede instalar cualquier tipo de dispositivo lumínico, mecánico o de otra naturaleza que cumpla con las condiciones de manejo de voltaje y corriente de los contactos del relevo.

Una vez realizado el montaje, proceda a energizar el circuito y determine la forma de permitir o interrumpir el paso de luz hacia la fotorresistencia paraverificar el correcto funcionamiento del circuito.

RTA:







Realice las medidas correspondientes.
1. Con las curvas del transistor elabore la línea de carga para ese dispositivo.

RTA:


2. Calcule la corriente de colector que va a circular por el transistor.

RTA: Ic= Vc/Rc Ic= 12v/404Ω Ic= 29.7mA

3. Mida con el multímetro esta corriente.

RTA: La corriente es de29.9 mA.


4. Compárela con los datos que da el fabricante. Explique.

RTA: El voltaje al que el transistor se enciende por completo, es llamado el "voltaje de saturación". Cuando la corriente del colector alcanza 500 mA y la corriente de la base logra 50 mA, el voltaje de saturación entre la base y el colector es 1 voltio. En estas mismas corrientes, el voltaje de saturación entre la base yel emisor logra 2 voltios.

5. ¿Cuando el transistor esta en saturación que corriente de base le corresponde?

RTA: La corriente de base es de 0.318mA


6. ¿Esta dentro del rango que muestran las curvas?

RTA: Esta dentro el rango ya que se obtiene la ganancia en corriente de un transistor se definía como la relación que se da entre la variación de la corriente d el colector y la...