Igbt
Páginas: 4 (959 palabras)
Publicado: 16 de abril de 2012
Semiconductor de potencia IGBT
Introducción
Las siglas IGBT correspondes a las iniciales de Isolated Gate Bipolar Transistor, o sea, transistor bipolar de puerta aislada. El IGBT es undispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los atributos del BJT y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El transistor bipolar depuerta aislada (IGBT) es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control depuerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta. El IGBT de la figura es una conexión integrada de unMOSFET y un BJT. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación dehasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones.
Simbología
Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su símbolo corresponde aldibujo de la figura siguiente.
Estructura del IGBT
La estructura del IGBT es similar al un MOSFET de canal n, una porción de la estructura es la combinación de regiones n+ , p y n- que forman elMOSFET entre el source S y el gate G con la región de flujo n- que es el drain D del MOSFET. Otra parte es la combinación de 3 capas p+ n- p, que crea un transistor de unión bipolar entre el drain D y elsource. La región p actúa como colector C, la región n- actúa como la base B y la región p+ actúa como el emisor E de un transistor pnp. Entre el drain y el source existen 4 capas p+n-pn+ que formanun tiristor. Este tiristor es parásito y su efecto es minimizado por el fabricante del IGBT.
El esquema equivalente sería:
Funcionamiento del IGBT
Consideremos que el IBGT se encuentra...
Introducción
Las siglas IGBT correspondes a las iniciales de Isolated Gate Bipolar Transistor, o sea, transistor bipolar de puerta aislada. El IGBT es undispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los atributos del BJT y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El transistor bipolar depuerta aislada (IGBT) es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control depuerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta. El IGBT de la figura es una conexión integrada de unMOSFET y un BJT. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación dehasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones.
Simbología
Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su símbolo corresponde aldibujo de la figura siguiente.
Estructura del IGBT
La estructura del IGBT es similar al un MOSFET de canal n, una porción de la estructura es la combinación de regiones n+ , p y n- que forman elMOSFET entre el source S y el gate G con la región de flujo n- que es el drain D del MOSFET. Otra parte es la combinación de 3 capas p+ n- p, que crea un transistor de unión bipolar entre el drain D y elsource. La región p actúa como colector C, la región n- actúa como la base B y la región p+ actúa como el emisor E de un transistor pnp. Entre el drain y el source existen 4 capas p+n-pn+ que formanun tiristor. Este tiristor es parásito y su efecto es minimizado por el fabricante del IGBT.
El esquema equivalente sería:
Funcionamiento del IGBT
Consideremos que el IBGT se encuentra...
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.