Igbt

República Bolivariana de Venezuela
Ministerio del Poder Popular para la Educación Superior
Instituto Universitario Politécnico
“Santiago Mariño”

Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT).

PROFESOR: ING. JOSÉ DE DIOS AUTORES: ARIEL DIAZ
DANY BAZAN

PROFESOR: ING. JOSÉ DE DIOSAUTORES: ARIEL DIAZ
DANY BAZAN


INTRODUCCIÓN




Durante mucho tiempo se busco la forma de obtener un dispositivo que tuviera una alta impedancia de entrada y que fuera capaz de manejar altas potencias a altas velocidades, esto dio lugar a la creación de los Transistores bipolar depuerta aislada (IGBT). Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables. Constituyen, desde el punto de vista de su empleo, un híbrido entre los transistores bipolares y los MOSFET para aprovechar tanto la sencillez de ataque de los últimos, como la capacidad para conducir altas corrientes y baja resistencia en conducción de los primeros.CONTENIDO
 Historia y Fundamentos físicos del transistor.
 Funcionamiento Básico del transistor
 Nomenclatura del transistor.
 Transistores de Potencia y distintos tipos de transistores.
 Tipos de Transistores.
 Transistores Bipolares
 Transistores de efecto de campo (FET)
 Tiristores.
 Condiciones ideales de un transistor.
Funcionamiento y comparación de distintos tipos de transistores.
 Aplicaciones de los transistores.
 Transistor en conmutación.
 Transistor en circuitos con polarización de emisor.
* El Transistores bipolar de puerta aislada (IGBT).
 Conclusiones.







HISTORIA Y FUNDAMENTOS FISICOS DEL TRANSISTOR
Una vez que se acabó la segunda Guerra Mundial se inició en los BellLaboratorios, en Estados Unidos, un programa de investigación básica sobre teoría de sólidos. Uno de los resultados de este esfuerzo fue el transistor. En esa época la teoría cuántica, es decir, la teoría física que describe los fenómenos microscópicos ya estaba bien establecida.
La teoría cuántica había abierto la posibilidad de entender las propiedades de los sólidos a partir de su estructuraatómica. La dirección de los laboratorios Bell esperaba que a través de un proyecto de investigación interdisciplinaria se adquirieran suficientes conocimientos acerca de los sólidos para diseñar y fabricar materiales que se utilizaran en el desarrollo de nuevos y mejorados componentes y elementos para sistemas de comunicaciones.
Se formó el grupo para investigar los semiconductores, que estuvointegrado por los físicos Walter H. Brattain, William Schockley, John Bardeen, Gerald Pearson y el físico-químico Robert Gibney. Tanto Shockley como Barden habían estudiado a fondo la teoría cuántica mientras que Brattain había llevado un curso de posgrado en la materia.
En 1945 formaron otros grupos de estudio de semiconductores para estar al día en el campo. Se dieron cuenta de quedurante la guerra se habían logrado notables avances en la utilización de los semiconductores silicio y germanio como detectores para el radar. Se había tenido que recurrir a estos semiconductores porque en el radar se empleaban señales eléctricas de muy alta frecuencia que los tubos al vacío, con todos los adelantos logrados, no podían manejar adecuadamente. En la primera parte del presente siglo yase habían usado semiconductores (la galena, por ejemplo) como detectores de ondas electromagnéticas antes del invento del tubo al vacío. Durante la guerra varios laboratorios habían logrado progresos en la comprensión del comportamiento de los semiconductores, así como en la preparación de muestras de silicio y germanio.
Las propiedades eléctricas de las sustancias dependen del grado de...