IGBT

IGBT
 

JAVIER
 MALDONADO
 PUERTA
 

El
  transistor
  bipolar
  de
  puerta
  aislada
  (IGBT,
  Insulated
  Gate
  Bipolar
 
Transistor)
 es
 un
 dispositivo semiconductor
 empleado
 en
 circuitos
 de
 
electrónica
  de
  potencia.
  Se
  trata
  de
  un
  interruptor
  controlable,
  es
 
decir,
 su
 encendido
 y apagado
 se
 realiza
 mediante
 señales
 de
 control.
 
Es
  ampliamente
  utilizado
  en
  aparatos
  que
  requieren
  circuitos
  de
 
electrónica
 muy
 potentes
 y velocidades
 de
 conmutación
 de
 hasta
 20
 
KHz.
  Entre
  sus
  aplicaciones
  más
  importantes
  se
  encuentran
  los
 
variadores
  de
  frecuencia,
 empleados
  para
  controlar
  la
  velocidad
  en
 
motores
 de
 corriente
 alterna.
 
El
 IGBT
 se
 puede
 entender
 como
 un
 dispositivo
 híbrido
 que
 combina características
 del
 
BJT
  y
  del
  MOSFET.
  El
  encendido
  es
  análogo
  al
  del
  MOSFET,
  además,
  tiene
  bajas
 
pérdidas
 en
 conducción,
 como un
 BJT.
 Es
 más
 rápido
 que
 un
 bipolar
 pero
 menos
 que
 
un
 MOSFET.
 
En
 la
 curva
 característica
 se
 distinguen
 tres
 regiones:
 avalancha, corte
 y
 saturación.
 
Cuando
  el
  dispositivo
  está
 
en
  corte,
  la
  corriente
  que
 
circula
  por
  el
  drenador
  es
 
prácticamente
 
nula.
 Mientras
  VGS
  sea
  nulo
  y
 
VDS>0
 continuaremos
 en
 la
 
región
 de
 corte.
 
 

 
Cuando
  se
  aplica
  un
  voltaje
 
VGS,
  el
  IBGT
  se
 enciende
 
inmediatamente,
  pasando
 
por
  la
  región
  de
  avalancha
 
hasta
  que
  la
  corriente
  ID
 
alcanza
  cierto
  valor
  que
 
viene
  determinado...