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CURSO:
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA
LABORATORIO N° 5:
“Características de entrada, salida y control de un transistor”
Integrantes Apellidos y Nombres Nota
CALDRON RODRIGUEZ , MIJAIL PEREZ AUCAPINA , JESUS Programa Profesional C-11 Grupo: K
Fecha de entrega 22 04 15 Mesa de Trabajo: OBJETIVOS
Entender el funcionamiento del transistor bipolar.
Medición de las características de entrada,salida y de control de corriente que pasa por el transistor
Se comprobara los valores teóricos y experimentales del transistor.

INTRODUCCIÓN
El transistor ha cambiado la electrónica para siempre, significa un antes y un después. En electrónica, denominación común para un grupo de componentes electrónicos utilizados como amplificadores u osciladores en sistemas de comunicaciones, control ycomputación. Hasta la aparición de transistor en 1948, todos los desarrollos en el campo de la electrónica dependieron del uso de tubos de vacío termoiónicos, amplificadores magnéticos, maquinaria rotativa especializada y condensadores especiales, como amplificadores.
El transistor, que es capaz de realizar muchas de las funciones del tubo de vacío en los circuitos electrónicos, es un dispositivo deestado sólido consistente de una pieza de material semiconductor, generalmente de silicio o de germanio en el que se practican tres o más conexiones eléctricas.
Los componentes básicos dl transistor son comparables a los de un tubo de vacío triodo e incluyen el emisor que corresponde al cátodo caliente de un tríodo como fuente de electrones. El transistor fue desarrollado por los científicosestadounidenses Walter Houser Brattain, John Bardeen Y William Bradford Shockley de los Bell Laboratories. Este logro loes hizo merecedores del premio nobel de física en 1956.
MARCO TEORICO
Los transistores han revolucionado el mundo de la electrónica desde que hicieron su aparición después de la Segunda Guerra Mundial. Su tamaño, cada vez menor, y su enorme versatilidad los han convertido en losmás útiles e importantes componentes electrónicos existentes. En el presente curso trataremos dos configuraciones posibles de circuitos transistores básicos.
El primer transistor, conocido como transistor bipolar, está formado por dos capas semiconductoras que encapsulan una tercera capa. Los materiales semiconductores se caracterizan, entre otros aspectos, por la propiedad de incrementary disminuir el número de electrones que conducen electricidad si, simplemente, se integran impurezas. Este procedimiento se conoce como dopaje. Este método se usa para crear conductores tipo n, es decir, materiales cargados negativamente con un exceso de electrones, así como los del tipo p, o sea, materiales positivos que presentan una relativa carencia de electrones.  En este último caso aparecenlos "huecos", palabra que se emplea para referirse a los electrones faltantes. Dichos huecos se comportan como si fueran portadores de carga positiva, de manera similar a los electrones que tienen carga negativa. Los dos tipos de material se combinan para conformar un componente único.  El material tipo b se emplaza hacia un lado y el tipo n hacia el otro, así se crea una unión en el centro. Esta estructuraes un excelente conductor de electricidad si la tensión que se aplica en el lado de tipo n tiene una carga más positiva que la del lado de tipo p (la tensión previa circula en el sentido de conducción).  Si, no obstante, el material conductor tipo n del componente se conecta al terminal positivo del circuito (tensión previa de bloqueo), es muy difícil para los portadores de carga (electrones yhuecos) pasar a través de la unión, por lo tanto, se bloquea el flujo de corriente. Éste es el principio básico de funcionamiento de los diodos, componentes que conducen corriente en una sola dirección.
 
Los transistores bipolares presentan materiales semiconductores del mismo tipo en ambos lados y una fina capa del tipo opuesto entre ellos. Los dos lados del mismo tipo se denominan zonas...