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Páginas: 6 (1329 palabras) Publicado: 21 de mayo de 2013
AVANCE DE LA TECNOLOGIA DE MICROPROCESADORES
Intel ha revelado su 10º Foro anual de Desarrolladores de Intel (IDF) en San Francisco, detalles de un nuevo chip informático que incluye cuatro microprocesadores individuales. Durante el mismo evento, el fabricante de chips de California ha dejado entrever también sus planes para desarrollar un chip con 80 microprocesadores para el 2010.
Laempresa afirma que su nuevo microprocesador "quad core", que esperan salga al mercado en noviembre del 2006, mejorará el rendimiento de los ordenadores hasta un 50%, sin consumir más energía que su actual “dual core”. Estos chips son para servidores de empresas; posteriormente, lanzarán otros diseñados para ordenadores de sobremesa. 
Los chips informáticos multinúcleo procesan la información enparalelo. Por lo general requieren menos energía, pero en ocasiones es necesario reescribir el software para obtener el máximo rendimiento de la arquitectura del hardware. Los procesadores multinúcleo se utilizan sobre todo en servidores, aunque también se encuentran en otros dispositivos como la PlayStation 3 de Sony, que utiliza un chip de 9 núcleos.
Por su parte, AMD, tradicional competidor deIntel, está trabajando también en su propio chip de cuatro microprocesadores, del que afirma tendrá más características cuidadosamente integradas.
El presidente de Intel, Paul Otellini, ha dejado entrever también sus planes para desarrollar un prototipo de chip de 80 núcleos, que según él será capaz de procesar un terabyte de información cada segundo si cada procesador individual funciona a 3,16GHz. Según Otellini, este chip se utilizará en los centros de datos masivos del futuro. “Estamos hablando de un cambio fundamental en el modo de construcción de toda la infraestructura informática”.
Avance científico ayudará a la creación procesadores más rápidos y eficaces

La información fue dada a conocer el pasado 6 de febrero, a través de un artículo publicado en la revista Nature Photonics,en el que se divulgan los resultados de los estudios realizados por un equipo de profesionales del Department of Electrical Engineering and Computer Sciences and Applied Science and Technology Group, de la Universidad de California en Berkeley.
De acuerdo con lo señalado por Connie Chang-Hasnain, líder del grupo de científicos, la finalidad del estudio era integrar la producción desemiconductores compuestos III-V, de excelentes características de transporte de electrones, dentro de la infraestructura existente del silicio, que si bien continúa siendo la base de la electrónica moderna presenta una capacidad limitada para generar luz.
Durante las pruebas, se logró que nanoláseres de arseniuro de indio-galio (InGaAs), que son semiconductores III-V, crezcan sobre una superficie de silicio auna temperatura de 400 grados centígrados, lo relativamente baja para evitar la destrucción de dicho material.
La posibilidad de cultivar nanoláseres directamente en el silicio podría conducir a un material fotónico mucho más eficiente, ya que las dimensiones minúsulas del mismo- más pequeño que una longitud de onda sobre cada lado, en algunos casos – hacen posible almacenarlo en pequeñosespacios, con la ventaja añadida de consumir muy poca energía.

Según Chang-Hasnain, los resultados obtenidos afectan a un amplio espectro de asignaturas científicas, incluyendo la ciencia de materiales, la tecnología de transistor, la ciencia de láser, la optoelectrónica y la física óptica.
Los autores del estudio también pusieron énfasis en que este avance científico podrá causar una verdaderarevolución optoelectrónica en áreas de consumo masivo, como la computación, las comunicaciones, las pantallas y el procesamiento de señales ópticas.

El futuro de los microprocesadores
Intel lanzó la segunda generación de sus procesadores Intel Core.



MICROPROCESADORES. La tecnología se reinventa y avanza día a día.
Estamos en la era de la multimedia, y para poder estar en contacto con...
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