Informatica

8• Fabricante: Kingston
• Tipo: SDR SDRAM
• Tecnología: SDRAM
• Capacidad de almacenamiento: 512 MB
• Factor de forma: DIMM de 240 espigas.
• Tiempos de latencia: 3
• Velocidad dememoria: 133MHz
• Comprobación integridad datos: no ECC.
• Características de la RAM, sin memoria intermedia.
• Configuración de módulos: 1 x 512 MB
• Voltaje de alimentación: 1,8 V.
• Blindajede conector: Oro.
• Ranuras compatibles: 1 x memoria - 168-pin DIMM
Fabricante: Kingston
Tipo: DRAM.
Tecnología: DDR II SDRAM.
Capacidad de almacenamiento: 8GB 2 x 4GB Kit
Factor deforma: DIMM de 240 espigas.
Tiempos de latencia: CL5.
Velocidad de memoria: 1066 MHz (PC2-8500)
Comprobación integridad datos: no ECC.
Características de la RAM, sin memoria intermedia.Configuración de módulos: 1024Meg x 64
Voltaje de alimentación: 1.35V 
Blindaje de conector: Oro.
Ranuras compatibles: 2 x memoria - DIMM de 240 espigas


 Fabricante: Kingston
Tipo: DRAM.Tecnología: DDR II SDRAM.
Capacidad de almacenamiento: 8 GB.
Factor de forma: 204 pin SODIMM
Tiempos de latencia: CL9
Velocidad de memoria: PC3-10600 DDR3 1333MHz
Comprobaciónintegridad datos: no ECC.
Características de la RAM, sin memoria intermedia.
Configuración de módulos: 256M x 64
Voltaje de alimentación: 2,3V.
Blindaje de conector: Oro.
Ranurascompatibles: 2 x memoria - DIMM de 240 espigas 

• Fabricante: Samsung
• Tipo: DRAM.
• Tecnología: DDR4 SDRAM.
• Capacidad de almacenamiento: 4 GB
• Factor de forma: DIMM de 240 espigas.
• Tiemposde latencia: CL5.
• Velocidad de memoria: mínimo de 1,6 GT/s hasta un objetivo máximo inicial de 3,2 GT/s• Comprobación integridad datos: no ECC.
• Características de la RAM, sin memoriaintermedia.
• Configuración de módulos: 2 GB DDR4 módulos a 2400 MT/s.
• Voltaje de alimentación: 1,2 V.
• Blindaje de conector: Oro.
• Ranuras compatibles: 1 x memoria - 200 espigas DIMM...