Informatica

Páginas: 8 (1982 palabras) Publicado: 23 de noviembre de 2014



Informatíca



1. Energia limpia
2. Memoria MRAM
3. Nanotecnología
4. Robótica
5. La pluma mágica de Microsoft
6. Computación cuántica
7. Almacenaje de datos

1. Energía Renovable:
Se denomina energía renovable a la energía que se obtiene de fuentes naturales virtualmente inagotables, ya sea por la inmensa cantidad de energía que contienen, o porque son capaces deregenerarse por medios naturales. Entre las energías renovables se cuentan la eólica, geotérmica,hidroeléctrica, mareomotriz, solar, undimotriz, la biomasa y los biocombustibles.
Las fuentes renovables de energía pueden dividirse en dos categorías: no contaminantes o limpias y contaminantes. Entre las primeras:
La llegada de masas de agua dulce a masas de agua salada: energía azul.
El viento: energíaeólica.
El calor de la Tierra: energía geotérmica.
Los ríos y corrientes de agua dulce: energía hidráulica o hidroeléctrica.
Los mares y océanos: energía mareomotriz.
El Sol: energía solar.
Las olas: energía undimotriz.
Las contaminantes se obtienen a partir de la materia orgánica o biomasa, y se pueden utilizar directamente como combustible (madera u otra materia vegetal sólida), bienconvertida en bioetanol o biogás mediante procesos de fermentación orgánica o en biodiesel, mediante reacciones de transesterificación y de los residuos urbanos.

2. Memoria MRAM:
A diferencia de la RAM convencional los datos no se almacenan como carga eléctrica o flujos de corriente, sino por medio de elementos de almacenamientomagnético. Los elementos están formados por dos discos ferromagnéticos,cada uno de los cuales puede mantener un campo magnético, separados por una fina capa de aislante. Uno de los dos discos se sitúa en un imán permanente con una polaridad dada; el otro variará para adecuarse al de un campo externo. Una malla de estas celdas forma un chip de memoria.
La lectura se realiza midiendo la resistencia eléctrica de la celda. En general, una celda se selecciona con base enla alimentación de un transistor asociado que conduce la corriente desde una línea de alimentación a través de la celda a tierra. El efecto túnel provoca cambios en la resistencia de la celda según la orientación de los campos de los dos discos. Midiendo la corriente generada, puede calcularse la resistencia y a partir de ésta la polaridad del disco escribible. En general suele considerarse '0' sila polaridad de ambos discos es la misma (el estado de menor resistencia).
La escritura puede realizarse de varias maneras. La más sencilla es que cada celda esté situada entre dos líneas de escritura que formen un ángulo adecuado entre sí por encima y debajo de la celda. Con la corriente se induce un campo magnético en la unión, y este campo influye en el disco escribible. Este patrón deoperación es similar al de la memoria de núcleo de ferrita de los años 60. Es necesaria una cantidad significativa de corriente para generar el campo magnético lo que limita su uso en dispositivos con necesidades de bajo consumo. Además, conforme el tamaño se escala, los campos generados pueden solapar varias celdas con las escrituras falsas resultantes. Este problema parece imponer un tamaño de celdarelativamente grande. Aunque se intentó solucionar con dominios circulares y la magnetorresistencia colosal, no parece que esta solución se esté desarrollando últimamente.
Otro enfoque realiza una escritura en varias fases por medio de una celda multinivel. La celda contiene ahora un material antiferromagnético en el que la orientación magnética se alterna en la superficie. Los niveles fijos ylibres están formados ahora por pilas de varios niveles aisladas por un nivel de acoplamiento. La estructura resultante sólo tiene dos estados estables, que pueden cambiarse (toggling) ajustando el retraso relativo en la señal de escritura propagada por cada una de las dos líneas, provocando una rotación del campo. Cualquier voltaje que no sea el completo aumenta la resistencia de forma que las...
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