Informe 5


Resumen
En el presente informe describiré la práctica sobre la curva característica del diodo.
I. INTRODUCCION.
En esta práctica realizaremos la medición de voltaje y corriente del diodo, ademáscon los valores obtenidos simularemos la curva característica del diodo en un software matemático.
II. Objetivos.
Obtener la curva característica del diodo de silicio.
a. Ic vs Vbe
b. Ib vs VbeHERRAMIENTAS
1. Fuentes.
2. Generador de funciones.
3. Osciloscopio.
4. Multímetro.
5. Sondas.
6. Bananas

III. MARCO TEORICO
Curva característica del diodo
El diodo determina su curva característicasegún polarización como se indica a continuación.
En cuanto se aumente la magnitud de la polarización aplicada el ancho de empobrecimiento lugar de sobrecarga del diodo se hará más pequeña.

Imagen 1.Curva característica del diodo según su polarización.
Se puede demostrar por medio de la física d estado sólido que las características generales de un diodo semiconductor se puede definir mediante lasiguiente ecuación conocida como la ecuación de Shockley, para regiones de polarización directa y en inversa. [1]
(1)
Donde
Is es la corriente de saturación en inversa.
Vd es el voltaje depolarización directa aplicado al diodo a través del diodo.
n es un factor de idealidad, el cual es una función de las condiciones de operación y construcción física; varía entre 1 y 2 según una ampliadiversidad de factores.

k es la constante de Boltzmann
T es la temperatura absoluta en Kelvin = 273+ la temperatura en °C.
q es la magnitud de la carga del electrón C.
IV. DESARROLLO
Realizaremosprimero el cálculo de la resistencia imponiéndonos el valor de la corriente que circula por la misma.




Para nuestra práctica utilizaremos una resistencia de 50.
Calculamos la potencia.



Con estosvalores obtenidos armamos el circuito de la práctica como se ve en la imagen 2.

Imagen 2. Circuito para determinar la curva característica del diodo.
Ahora realizaremos las mediciones de voltaje y...