informe bjt

Circuitos Amplificador BJT
Juan Nicolas Ibañez Rodriguez, Cristian Jerez, Stevan Vargas
Electronica 2 ,Universidad Cooperativa de Colombia.
Bogota, Colombia
Nicolas.ibañez@campusucc.edu.co

RESUMEN:
Este
informe
quiere
proyectar la experiencia adquirida por
nosotros en el análisis de circuitos
amplificadores en baja señal, teniendo
como referencia tres puntos diferentes tales
como los datosmatemáticos calculados por
nosotros, la simulación en ORCAD y la
practica en el laboratorio, buscando
conclusiones satisfactorias para este
proceso.
PALABRAS CLAVES: Amplificador,
transistor, frecuencia, resistencia de
entrada,mallas.
ABSTRACT This report wants to project
the experience of us in the analysis of
circuits in low signal amplifiers ,
referencing three points different
mathematical data suchas calculated by
us , ORCAD simulation and practice in the
laboratory, looking good conclusion for
this process .
KEYWORDS: Amplifier, transistor , frequency, input
resistance , meshes

I INTRODUCCION
El presente informe es la recopilación de
los datos adquiridos en los cálculos
matemáticos, simulación, y práctica con el
fin de comprender el comportamiento de
un circuito amplificador ydesarrollar la

habilidad
circuitos.

de

analizas

esta

clase

de

II OBEJETIVOS:


Comprender el funcionamiento de
un circuito amplificador.



Analizar el comportamiento de esta
clase de circuitos.



Comparar los datos adquiridos por
diferentes fuentes.



Analizar grafica de amplificacion de
circuitos bjt

III ANALISIS MATEMATICO
A PEQUEÑA SEÑAL CIRCUITO 1
MALLA 1

ANALISIS MATEMATICOS

-12V + IE(10K) + 0,7v = 0

Formulamos la malla teniendo en cuenta
que podamos escontrar un valor que nos
de parametros para iniciar nuestro
analasis
IE = - 0,7v + 12v
10K

Hallamos la corriente del emisor y por
formula la corriente del colector
FIGURA 1 Malla No1

Por Fórmulas:
Ic = IE
.

B__ = (1,13mA) 320
B+1
321

 IB = Ic/B

IB=1.126mA/320

También obtenemos la corriente de base.

 RT = VT = 25 mVIB

= 6.25 KΩ

4 µA

Vo = gm (4,7kΩ)
Vin
Vo

 Re =_VT_ = 25 Mv

Ic

= 22.20 Ω

1.126mA

= 207.18

Vin

SIMULACION DEL CIRCUITO EN
ORCAD

 gm =__Ic _ = 1.126 mA = 0.04504

VT

25 mV

Luego encontramos la resistencia de , la
resistencia de entrada y luego la
ganancia gm
FIGURA No2 Simulacion en ORCAD
ANALISIS EN AC

Apoyandonos del programa Orcad para
tener un punto de referencia hacerca de
losvalores encontrados en el analisis
matematico, nos encontramos con la
sigiente informacion:
Ie=1.119mA
Ic=2.237mA
Ib=-3.355mA

 I = gm (0,98 Ω Vin)
 Vo = I (5kll 100k)

Vo = gm (0,98Ω Vin) (4,76kΩ)

Aquí ya encontramos una variacion
significativa en la corriente de colector
del simulador a la de los calculos
matematicos

El siguiente circuito amplificador con
transistor se encuentra enconfiguración
base común. El transistor utilizado en el
laboratorio será el 2N3906
FIGURA 5 Montaje en protoboar

Mediante el multímetro determine el valor
de B (Beta) del transistor.

FIGURA No3 y 4 Amplitud de onda

para un transistor 2N3906
Este dato nos vario porque
tuvimos que cambiar el transistor
y como ya se había mencionado
este varia

Luego de tener simulado nuestro
circuito procedemos a oprimirrun
schematic para verificar la amplificacion
que tiene el circuito, al verificar la
grafica nos damos cuenta que si hay una
amplificacion cuestion que verificaremos
al
montar nuestro
circuito
en
protoboard.
IV. DESARROLLO DE PRACTICA 1

FIGURA No 6
Voltaje suministrado al circuito
Después seguimos con las mediciones
obteniendo estos resultados:

A PEQUEÑA SEÑAL CIRCUITO 2

ANALISIS EN AC

FIGURANo 7 Señal Vi

Según la información del circuito
debemos suministrar una frecuencia de
10KHz y una amplitud de 10mV

FIGURA No8 Amplificación
Nos muestra la amplificación de onda, el
color azul determina la señal del circuito
con un poco de ruido, esto ocasionado
por las puntas del osciloscopio, y la
amarilla nos muestra la amplitud

V. DESARROLLO DE PRACTICA 1

También la corriente de base
IB...