INFORME DE DIODOS


UNAC

FACULTAD DE INGENIERÍA DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA


ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA


INFORME PREVIO DE LABORATORIO DE DIODOS
SEMICONDUCTORES



CURSO: DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS






CICLO 2013-B



AÑO 2013



















I OBJETIVO GENERAL

Al finalizar el experimento, nosotros los estudiantes, debemos estarcapacitados de describir en términos de sus características eléctricas el funcionamiento de los diodos de silicio, germanio, diodos Zener y los diodos emisores de luz (LED´s). Estaremos también capacitados para establecer las diferencias entre todos ellos.

II OBJETIVOS ESPECIFICOS
1.- Comprobar el estado de diodos de silicio y germanio utilizando multímetros digitales.
2.- Utilizar diferentesmétodos para obtener la curva característica de diodos.

III CUESTIONARIO PREVIO.

1.- En varios laboratorios del presente curso deberán aislarse las tierras entre
Generadores/fuentes y el osciloscopio. Investigue por qué este aislamiento es
Necesario. ¿Qué ocurre al circuito de la figura 2 si no se aíslan las tierras?

El aislamiento es necesario para evitar lainfiltración de ruidos o de señales parasitas en los circuitos electrónicos. Por ejemplo cuando estamos viendo televisión y alguien enciende la licuadora, vemos que la imagen de la televisión se distorsiona, eso es debido justo a que la licuadora el funcionar y encender su motor, genera señales parasitas a través del cableado eléctrico, el cual afecta la imagen del televisor. Es por eso que se aíslan lastierras, para evitar los esas señales que distorsionan el buen funcionamiento de los circuitos electrónicos. A esas señales parasitas se le llama ruido eléctrico, en resumen son señales y efectos indeseables que se quieren evitar.
En la figura se aíslan las tierras del osciloscopio y del generador de señales, justamente para que una no afecta a la otra y no se infiltren señales que modifiquen lascorrectas medidas.

2.- Investigue el comportamiento de un diodo ideal, el funcionamiento de un diodo de
unión pn, y el origen de las curvas características de los últimos ¿Qué significa que
un diodo esté polarizado en forma directa o en inversa?
Un diodo semiconductor moderno está hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en él para crear una región quecontiene portadores de carga negativa (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada región. El límite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unión PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente deelectrones del lado n (llamado cátodo), pero no en la dirección opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del ánodo al cátodo (opuesto al flujo de los electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse una corriente de difusión, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión, zona que recibe elnombre de región de agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusión, la región de agotamiento va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza dedesplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.
La anchura de la región de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de...