informe de electronica

CIRCUITO INTEGRADOS
DIGITALES

Ing. Wilmer Naranjo

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CARACTERISTICAS BÁSICAS DE LOS
CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITALES
Son una colección de resistores, diodos y
transistores fabricados sobre una pieza de
material semiconductor (generalmente silicio)
denominado sustrato y que comúnmente recibe
el nombre de circuito integrado (CI).
El CI se encuentra dentro de un encapsulado
plásticoo de cerámica con terminales que
permiten conectarlo con otro dispositivo.

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ENCAPSULADOS DE LOS CI
Éstos difieren en la cantidad de circuitería que
contiene el sustrato de silicio.
El número de conexiones externas que se
hacen con el sustrato.
Las condiciones del medio ambiente.
El método empleado para montar el
encapsulado sobre el sustrato del circuito.Ing. Wilmer Naranjo

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TIPOS DE ENCAPSULADO
Los tipos de encapsulado más
comunes son:
Encapsulado de doble línea (DIP,
siglas de dual-in-line-package)
Encapsulado plano de cerámica.
Encapsulado para montaje de
superficie.
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Encapsulado de doble línea (DIP)
Formado por dos hileras de terminales.
Las terminales están numeradas en sentido opuesto
al avance delas manecillas del reloj cuando se ven
por arriba, en relación con una muesca o punto que
se encuentra en uno de los extremos del
encapsulado y que sirve como identificación.
Se emplean encapsulados con 16, 20, 24, 28, 40 y
64 terminales.
Algunos DIP tienen muescas en ambos extremos.
En éstos casos la ubicación de la terminal número 1
está señalada por un pequeño punto.
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DIBUJO DE UN DIP
ENCAPSULADO DIP

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ENCAPSULADO PLANO DE CERÁMICA
Esta hecho de una base no conductora.
Inmune a los efectos de la humedad.
Aplicaciones de tipo militar.
Condiciones ambientales extremas.

ENCAPSULADO PARA MONTAJE DE
SUPERFICIE
Sus terminales están dobladas en un ángulo recto.
Más pequeños que los DIP.
Las terminales son máspequeñas y menos
rígidas.
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CLASIFICACIÓN DE ACUERDO CON LA
COMPLEJIDAD
Se estima por el número de compuertas lógicas
equivalentes sobre el sustrato.
En la actualidad existen 6 niveles estándar de
complejidad.

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CLASIFICACIÓN DE ACUERDO CON LA
COMPLEJIDAD
COMPLEJIDAD

# DE
TRANSISTORES

Nº DE
COMPUERTAS

Integración en pequeñaescala (SSI)

10 a 100

1 a 10

Integración en mediana
escala (MSI)

100 a 1000

10 a 100

Integración en gran escala
(LSI)

1000 a 10000

100 a 1000

Integración en muy alta
escala (VLSI)

10000 a 100000

1000 a 10000

Integración en ultra escala
(ULSI)

100000 a 1000000

10000 a 100000

Integración en giga gran
escala (GLSI)

Mayor a 10000000

Mayor a 1000000Ing. Wilmer Naranjo

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Clasificación de acuerdo con el tipo
principal de componentes electrónicos
utilizados en su circuitería.
Se clasifica en:
Circuitos Integrados Bipolares
Circuitos Integrados Unipolares

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Circuitos Integrados Bipolares
Son aquellos que están fabricados con transistores bipolares
de unión (NPN y PNP) como su principal componentede
circuito. Ej:
La familia lógica TTL y ECL

Circuitos Integrados Unipolares
Son los que emplean transistores unipolares de efecto de
campo (MOSFET de canal N ó P) como elemento principal. Ej:
la familia lógica PMOS, NMOS y CMOS.
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PARÁMETROS DE VOLTAJE
VIH(min),Voltaje de entrada de nivel alto: Nivel de voltaje que se
requiere para un 1 lógico en unaentrada. Cualquier voltaje
debajo de éste nivel no será aceptado como ALTO por el circuito
lógico.
VIL(max),Voltaje de entrada de nivel bajo: Nivel de voltaje que se
requiere para un 0 lógico en una entrada. Cualquier voltaje sobre
éste nivel no será aceptado como BAJO por el circuito lógico.
VOH(min),Voltaje de salida de nivel alto: Nivel de voltaje en la
salida de un circuito lógico en el...