informe del diodo de silicio -unac







CURSO
Dispositivos y Componentes Electrónicos
TEMA
DIODO DE SILICIO

GRUPO HORARIO
01-T 90G

INTEGRANTES
SANTIAGO SANTOS, Eder
1213170019
SANTAMARÍA RIVERA, Jons B.
1213120314
TRUJILLO VILLANUEVA, Gianino J
1213110067


PROFESOR
Ing.EL DIODO DE SILICIO

I . OBJETIVO:

1.1 Determinar en forma simbólica y física un diodo de silicio con sus respectivas características.

1.2 Analizar cualitativamente al diodo de silicio.

1.3 Uso del manual de reemplazos para determinar las características del diodo de silicio, prueba del diodo del silicio.

1.4Montaje de un sistema de rectificación de media onda.

1.5 Análisis en corriente alterna (CA) en corriente continua (CC).

1.6 Aplicar el uso del manejo del osciloscopio analógico y digital.

1.6 Aplicación del osciloscopio al sistema de rectificación para obtener gráficos y contrastarlos con el voltaje obtenido.

1.7 Determinar la curva característica del diodo en función delvoltaje y corriente.





II . FUNDAMENTO TEÓRICO:

EL DIODO DE SILICIO


Fuente de de baja tensión o fuente de alimentación, convierte
corriente alterna en corriente continua o directa (+b)
F. A. en bloques básica

circuito de entrada circuitorectificador circuito filtro
Un diodo es un elemento de dos terminales cuya característica tensión-corriente no es lineal. Está formado por un cristal semiconductor dopado de tal manera que una mitad es tipo "p" y la otra "n", constituyendo una unión “pn”. La terminal que corresponde con la parte "p" se llama ánodo y el que coincide con la "n" es el cátodo.
El diodo está compuestopor un cristal de silicio o de germanio dopado, es decir, al que se le han incluido impurezas. El dopado del silicio (o del germanio) se realiza para variar sus propiedades de semiconductor.
Los átomos de estos semiconductores tienen cuatro electrones sueltos en su capa de valencia, lo cual les confiere sus cualidades semiconductoras, al unirse estos átomos de silicio o germanio por enlacecovalente, quedan con la configuración electrónica de gas noble, es decir con ocho electrones de valencia en su última capa. Cuando dopamos estos cristales con átomos de más de cuatro electrones de valencia, quedan electrones sueltos de la capa de valencia al crear enlaces covalentes y cuando dopamos estos cristales con átomos de menos de cuatro electrones en su capa de valencia quedan huecos al crearestos enlaces covalentes.
Lado P y lado N del diodo.
Al lado del diodo dopado con átomos trivalentes (con tres electrones en su capa de valencia) se le llama lado P (positivo). Al silicio dopado con átomos pentavalentes se le llama semiconductor de tipo N (negativo).
Comprobación de un diodo.
Conectando la sonda positiva del polímero (en escala de Ohmios) en el extremo P del diodo y la negraen el extremo N, la resistencia debe de ser pequeña, si colocamos la sonda roja en el extremo N y la sonda negra en el extremo P, la resistencia debe de ser infinita.
El diodo se puede hacer trabajar de 2 maneras diferentes:
Polarización directa
Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del diodo), o sea del ánodo al cátodo.
En este caso la corrienteatraviesa el diodo con mucha facilidad comportándose prácticamente como un corto circuito.
Polarización inversa
Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o sea del cátodo al ánodo.
En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta prácticamente como un circuito abierto.
Nota: El funcionamiento antes mencionado se refiere...