Informe Electronica Analoga 1 Lab: Diodo Zener

UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA
PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRÓNICA
LABORATORIO ELECTRÓNICA I
INFORME PRACTICA No. 1
CARACTERÍSTICA I-V DEL DIODO DE UNIÓN

INTEGRANTES DE GRUPO:
JONATHAN STIVEN SUAREZ ARGOTE COD: 2010296204
JOAN SEBASTIAN CANTOR VILLARREAL COD: 2010192537

FECHA DE ENTREGA: 16 de septiembre de 2011 hora: 6:00 p.m.OBJETIVOS

* Conocer y analizar el comportamiento de un diodo en sus dos estados.
* Analizar el comportamiento no lineal de un diodo semiconductor de silicio bajo condiciones de polarización en inverso y directo.
* Trazar la curva característica de en  polarización directa del diodo de unión pn y entender el funcionamiento de este bajo estas circunstancias.
* Comprender como afecta lavariación de la temperatura en el funcionamiento del diodo semiconductor.
* Calcular y entender  las resistencias dinámicas y estáticas del diodo.

JUSTIFICACIÓN

La presente práctica se realizó con el fin de comprobar los conocimientos adquiridos previamente en clase  sobre el funcionamiento de circuitos con elementos semiconductores  específicamente diodos y entender los parámetros ycaracterísticas que rigen a estos  bajo las condiciones de la corriente continua, temperatura y otros factores más.

1. ELEMENTOS TEORICOS

SEMICONDUCTORES
Un semiconductor es un sólido que tiene una banda prohibida de energía. Su banda prohibida de energía es mucho más angosta que la de un aislador, y normalmente debe considerarse que no tiene electrones en su banda de conducción. Sinembargo, la energía proporcionada por el calor de la temperatura ambiente es suficiente para vencer las fuerzas atómicas de enlace en unos cuantos electrones de valencia, de tal manera que algunos de ellos pueden saltar la banda prohibida y alcanzar la banda de conducción y por lo tanto son capaces de conducir algo de corriente eléctrica.
 SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS
El proceso de agregar impurezas alsemiconductor, se denomina impurificación y se realiza después de que el material semiconductor se ha refinado a un alto grado de pureza. La concentración de la impureza añadida se denomina contenido de impurezas y es típicamente pequeña, del orden de una parte de impureza por diez millones de partes de semiconductor puro. Al semiconductor con impurezas se le llama semiconductor extrínseco. IMPUREZAS TIPO N
Los materiales de impurificación que agregan electrones libres al semiconductor se denominan impurezas tipo N, debido a que agregan portadores negativo s.
IMPUREZAS TIPO P
Los materiales de impurificación que agregan huecos al semiconductor se denominan impurezas tipo P, debido a que agregan portadores positivo s.
 POLARIZACION DIRECTA DE UNA UNION P-N
La aplicación de un voltajea una unión P-N con el terminal positivo de la fuente de tensión VF conectada al lado P y la negativa al lado N, se denomina polarización directa o polarización de avance de la unión.
DOPAJE
Proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar.HUECO
Es la ausencia de un electrón en la banda de valencia . Tal banda de valencia estaría normalmente completa sin el "hueco"

2. ELEMENTOS, MATERIALES Y EQUIPOS

* Instrumentos: Multímetro digital (DMM).
* Componentes: Dos resistores de 1 K y dos de 1 M a 0.5 W y 5%; dos diodos de silicio 1N4004.
* Fuente DC.
* 1 cautín.

3. DESARROLLO ANALÍTICO

1. Prueba deldiodo

Basado en los resultados de las mediciones diga cuál es el estado de los diodos.

Tabla 1.
Prueba | Si |
En directo | Diodo polarizado por el multimetro en el sentido de conducción. |
En inverso | Diodo polarizado por el multimetro en el sentido inverso. |

2. Corriente en el diodo

b) Previamente se realizaron mediciones de los voltajes del diodo,...