informe final 2 de circuitos electronicos 1

Páginas: 4 (915 palabras) Publicado: 18 de mayo de 2013
I. TEMA: DIODOS EN CORRIENTE ALTERNA (Si, Ge, Zener, LED)

II. OBJETIVOS:
1. Estudiar las características de operación de los diodos semiconductores de Silicio y Germanio, así como su respuestaen frecuencia.
2. Estudiar las características de operación del diodo Zener, así como su funcionamiento con carga.
3. Estudiar las características de operación del LED, así como sus respuestas adiferentes frecuencias.

III. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO:
1. Un Osciloscopio
2. Un generador de señales de AF
3. Una fuente de CC variable
4. Un multímetro digital.
5. Un miliamperímetro CC.
6.Un microamperímetro CC.
7. Diodos: semiconductores (Si y Ge), zener y LED.
8. Resistencias: 100Ω, 330Ω, 470Ω, 1KΩ, 3.3KΩ, 3.9KΩ, 3KΩ.
9. Cables conectores: 3 coaxiales, 2 cordones AC, 8cocodrilo-banano.

IV. PROCEDIMIENTO:

1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directa e inversa de los diodos (Silicio y Germanio), registrar los datos en la Tabla 1.
TABLA 1
MATERIAL
R directaR inversa
Si
746Ω
>40MΩ
Ge
277Ω
210KΩ

2. Armar el circuito de la Figura1.

a) Ajustando el voltaje del generador y utilizando los 2 canales del ORC en el modo X-Y (Lissajous) observar yanotar las curvas características de los diodos, tanto de Silicio como del Germanio.
b) Cambiar la frecuencia del generador a 5KHz y 50KHz respectivamente; observar y anotar lo que sucede con lascurvas.
3. Armar el circuito de la Figura 2. (f1=1.5KHz , f2=2.5KHz)

a) Usando el ORC, observar y medir los tiempos de Conmutación del diodo, llenando la Tabla 2.
TABLA 2

f
Forma de Onda
ts
trR=1KΩ
f1
Cuadrada
4µs
5µs

f2
Cuadrada
4µs
6µs
R=3.3KΩ
f1
Cuadrada
2.5µs
6µs

f2
cuadrada
2.5µs
6µs

4. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directa e inversa del diodozener. Llenar la Tabla 3.
a) Armar el circuito de la Figura 3.

b) Ajustando el generador a un voltaje pico ligeramente mayor al voltaje zener del diodo y una frecuencia de 500 Hz; conectar el ORC...
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