Informe IEEE

RESUMEN: En esta parte de la guía hablamos y nos referimos a los circuitos electrónicos de potencia tales como diodos, transistores entre otros; en la primera evidencia encontramos dos circuitospara analizar, en la segunda vemos tipos de diodos de potencia como DC Blocking Voltage entre otros. En las demás evidencias definimos transistores bipolares de potencia, tiristores y triacs de potencia,GTO de potencia, mosfet de potencia, igbt de potencia y conmutación suave y dura en semiconductores de potencia. Como vemos generalmente hablamos de electrónica de potencia en esta primera parte dela guía de aprendizaje, específicamente hablamos de los diferentes dispositivos electrónicos aplicados a la electrónica de potencia.
Palabras Claves: Electrónica de potencia, semiconductores depotencia, análoga, digital, diodos, transistores.

ABSTRACT: In this part of the guide talked and we mean power electronic circuits such as diodes, transistors, among others, in the first two circuitsfound evidence to analyze, in the second we see types of power diodes and DC Blocking Voltage between others. In other evidences define power bipolar transistors, thyristors, triacs and power GTOpower MOSFET, IGBT and switching power in soft and hard power semiconductors. As we usually speak of power electronics in this first part of the tutorial, specifically talking about the differentelectronic devices applied to power electronics.
Keywords: Power electronics, power semiconductors, analog, digital, diodes, transistors.
INTRODUCCION: En este informe tratamos de resumir las ochoevidencias de la guía de electrónica de potencia, en la cual hablamos de diversos componentes electrónicos ya mencionados anteriormente.

CARACTERISTICAS GENERALES:
El funcionamiento y utilización de lostransistores de potencia es idéntico al de los transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas...