Informe Le3

República Bolivariana de Venezuela
Ministerio de Poder Popular para la Educación superior
Universidad de Falcón- Sede Principal
Facultad de Ingeniería y Ciencias Exactas
Escuela de Ingeniería Electrónica
Laboratorio de Electrónica I- Prof. Ramón Hernández




PRACTICA N°3 TRANSISTORES






Realizado por:
Robles Marlene
Waked Mohamed
Punto Fijo, 16 de Marzo de 2015
Introducción
En nuestravida cotidiana están presentes las creaciones, desarrollos y avances que el hombre ha hecho, en su afán de revolucionar al mundo con nuevas tecnologías y facilidades, como por ejemplo, los televisores, radios, equipos inteligentes, entre otros... capaces de realizar múltiples tareas en cuestión de segundos. Dichos aparatos, poseen características únicas, pero todas tienen algo en común: losdispositivos y circuitos que lo constituyen; el transistor es uno de los dispositivos más importantes y frecuentes que se pueden encontrar, es un componente semiconductor, con una estructura similar a la del diodo, hoy en día uno de los pilares de la electrónica.
Bien es sabido, que si se tienen dos materiales, uno tipo P y otro N, y los juntamos, se construye un diodo, la pieza básica de cualquiercircuito electrónico. Si a esta unión se le añade otra capa, sea cualquiera de los dos tipos, se obtiene lo que se conoce como el ₺transistor bipolar de unión₺, la cual quiere decir ₺dos polaridades₺.














Marco teórico
Dispositivo semiconductor
Es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico omagnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. El elemento semiconductor más usado es el silicio y el segundo el germanio.
Semiconductor tipo N
Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).Cuando se añade el material dopante, aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones. El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material.
Semiconductor tipo P
Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendoun cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidoscomo huecos. El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.
Transistor
Es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de usodiario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, entre otros.
Desarrollo de la práctica
Una semana previa a la práctica se realizo un ensayo para aprender a probar el estado del transistor e identificar sus terminales. El primer transistor utilizado fue el 2N3904 y las medidas se realizaban con el selector en resistencia para resistencia yen diodo para voltaje, las cuales fueron:



Selector en resistencia (Ω)
Selector en diodo (V)
E*B
∞
0
B*E
840
0.7
B*C
1049
0.679
C*B
∞
0
C*E
∞
0
E*C
1700
0
*: Con polarización positiva
Como se puede observar, al polarizar positivamente los extremos, emisor (E) y/o colector (C), la resistencia era muy alta y en el equipo se visualizaba un ₺1₺ (∞) por lo que se deduce que estaba invertida...