informe previo EE 635m

Páginas: 2 (350 palabras) Publicado: 10 de abril de 2013
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Informe Previo Experiencia Nº 1









Curso:
SISTEMA DIGITALES I

Laboratorio N°1Alumnos:
Angeles Quispe Keni Ricardo
Códigos:
20104012J
HORARIO:
martes 8.00 – 11.00 am








Sección: MFECHA DE PRESENTACIÓN
08-04-13


FECHA DE REALIZACIÓN DE LA PRÁCTICA: 08-04-13



a) niveles lógicos TTL
Los niveles lógicos vienen definidos por el rango de tensión comprendida entre0,0V y 0,8V para el estado L (bajo) y los 2,4V y Vcc para el estado H (alto).
b) niveles lógicos CMOS.
En la figura 9.1.5. se muestran las tensiones VIL, VIH, VOL, VOH válidas para losdispositivos CMOS de nivel +5 VDC.

Figura 9.1.5. Nivel Lógico de Entrada de un circuito CMOS +5 V

c) inmunidad al ruido
Se denomina ruido a “cualquier perturbación involuntaria que puede originar un cambio nodeseado en la salida del circuito.
d) margen de ruido
Margen de ruido: Es el límite de tensión de ruido admisible a la entrada del elemento lógico, sin registrar cambios en el estado de la salida.Existen dos márgenes de un ruido, uno para el estado lógico uno y otro para el estado lógico cero.

e) disipación de potencia
Es la potencia consumida por la compuerta. La disipación de potenciaen función de la frecuencia de una compuerta TTL es constante dentro del rango de operación. En cambio, la compuerta CMOS depende de al frecuencia (ver figura 9.1.3).

Figura 9.1.3. Curva depotencia en función de la frecuencia

f) retarde de propagación
el retardo de propagación es el tiempo medio de transición que la señal tarda al propagarse de la entrada a la salida. La velocidad deoperación es inversamente proporcional al retardo de propagación.
g) producto de velocidad-potencia
Es el producto de los dos tipos de características mencionadas.
La velocidad de la compuerta es...
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