Informe tecnico

Páginas: 12 (2813 palabras) Publicado: 18 de noviembre de 2010
Republica Bolivariana de Venezuela
Instituto Nacional de Cooperación Educativa
Cagua –Edo Aragua

Integrantes:
Adrián CarrilloAiran Galindo
DAE 13
INTRODUCCION
Es necesario conocer a profundidad todo lo relacionado a la electrónica para asi manejar con eficacia en electricidad los distintos tipos de diodos comopor ejemplo: Diodo Zener, Diodo Tunel, Diodo de Potencia, Diodo Led conociendo sus características se le darán uso en nuestro campo .
De igual manera en el desarrollo de la investigación definiremos el uso y manejo de las distintas herramientas utilizadas en electrónica entre las principales tenemos : Destornillador plano fijo, Destornillador estriado fino, Alicate aislante, Piqueta aislante,Cable con terminal caimán, Llave ajustable, Pinza punta fina.
A lo largo de nuestra carrera utilizaremos distintos tipos de instrumentos electrónicos que nos ayudaran a medir distintos tipos de tensiones, resistencias e intensidades entre estos tenemos: multimetro Digital, Osciloscopio, Calibrador Multifuncional de procesos y a través de este trabajo ampliaremos el procedimiento para la medición conel multimetro que es de gran ayuda para llegar a establecer los pasos que debe realizar para elaborar una medición correcta y segura, además de reconocer la estructura de un circuito eléctrico básico.

CONTINUIDAD DE LOS SEMICONDUCTORES
Supuesto un material semiconductor en el que se ha alterado el equilibrio de la concentración de portadores en la dirección del eje X, y tomando un elementode volumen de sección A y espesor dx en el que la concentración media de huecos es p en el instante t, tal que la corriente de huecos que penetra por la sección A izquierda es Ip y la corriente de huecos que lo abandona por la sección derecha A es Ip+dIp.
CONTINUIDAD INTRINSECA
Un elemento tetravalente (grupo IV), si comparte todos sus electrones es un aislante perfecto y no contribuye a laconductividad eléctrica, esto ocurre a la temperatura del cero absoluto (no hay movimiento térmico). Pero si se somete a temperatura ambiente en la agitación térmica es suficiente para arrancar un electrón apareciendo así un doble efecto: | | |
el electrón al moverse contribuye a la conducción y deja una vacante llamada hueco. Este hueco puede ser ocupado por otro electrón. Surge así un portadorde carga positiva y otro negativo denominado par electrón-hueco. Si aparecen en el cristal muchos pares de este tipo puede ocurrir que choquen un electrón y un hueco produciéndose una recombinación, en este caso ninguno de los dos toman parte en la conducción. Con el tiempo se establece un equilibrio, es decir, el número de pares engendrados será igual al de recombinaciones, siendo la conductividadconstante, es lo que se denomina conductividad intrínseca del material a una temperatura determinada. Si aumentamos la temperatura, el movimiento térmico aumentará la intensidad originando un mayor número de pares, con lo que se establecerá el equilibrio para una mayor concentración. Este efecto puede producirse tanto por energía térmica como por energía luminosa. El número Z de portadores decargas libres aumenta aproximadamente de forma exponencial con la temperatura y para una temperatura determinada, depende de la energía necesaria para romper la ligadura, magnitud característica del semiconductor.

CONTINUIDAD EXTRINSECA
Cuando a una cristal de cualquier elemento (por ejemplo el Silicio (Si)) le introducimos un átomo distinto pero que sea pentavalente (por ejemplo Antimonio...
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