Informe

Optoelectrónica

Fotodiodos. Principio de funcionamiento

© ITES-Paraninfo

Longitud de onda de corte
Semiconductor Energía de la banda prohibida, Eh(eV) 1,12 0,66 1,35 0,89 0,75 Longitudde onda de corte, λh(nm) 1100 1870 910 1400 1650

Si Ge InP InGaAsP InGaAs

1240 λ h (nm ) = E h (eV )
© ITES-Paraninfo

Profundidad de penetración

I ( x ) = I 0 ⋅ e −αx
© ITES-Paraninfoδ=

1 α

Capacidad de transición

© ITES-Paraninfo

Tipos

© ITES-Paraninfo

Modelo

 ηvd  id = I s  e kT − 1    
© ITES-Paraninfo

Curvas características

©ITES-Paraninfo

Modelo simplificado para zona directa

© ITES-Paraninfo

Modelo simplificado para zona inversa

© ITES-Paraninfo

Características

Superficie activa Sensibilidad y Respuestaespectral Capacidad Tiempo de subida Corriente de oscuridad Ruido

© ITES-Paraninfo

Respuesta espectral

© ITES-Paraninfo

Respuesta espectral de distintos fotodiodos y LEDs

©ITES-Paraninfo

Tiempo de subida

© ITES-Paraninfo

Acondicionamiento

 ηic Rs  i R ic = i f − I s  e kT − 1 − c s − ic Rs jwC   Rp  
© ITES-Paraninfo

ic ≈ i f

Acondicionamiento.Estrategias

© ITES-Paraninfo

Acondicionamiento. Convertidor I-V

© ITES-Paraninfo

Convertidor I-V

© ITES-Paraninfo

Inestabilidad debida a la capacidad del fotodiodo

© ITES-ParaninfoCompensación

© ITES-Paraninfo

Redes en T

   R2   + R2 i f vo = −  R1  1 +  R3     
© ITES-Paraninfo

Fototransistores. Principio de funcionamiento

ic = βT i fp
©ITES-Paraninfo

Curvas características

© ITES-Paraninfo

Acondicionamiento básico

© ITES-Paraninfo

Aplicaciones de fotodiodos y fototransistores. Diagrama de bloques

©ITES-Paraninfo

Detectores de proximidad

© ITES-Paraninfo

Codificadores ópticos

© ITES-Paraninfo

Codificadores ópticos incrementales

© ITES-Paraninfo

Detección del sentido de giro

©...