Informe
FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍA
SECCIÓN ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA
INGENIERÍA MECATRÓNICA
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LABORATORIO DE CIRCUITOS ELÉCTRICOS 1LABORATORIO Nº 1
SIMULACIÓN EN SPICE
TEMA: Primera y Segunda Ley de Kirchhoff
NOMBRE: Paulo Cesar Mancco Leandro
CÓDIGO: 20101354
HORARIO: 05M3
|NOTA DE LA SIMULACIÓN (3puntos) | |
14 de Abril del 2012
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Usando los valores hallados por la simulación, mostrada en la imagen anterior, se obtiene lo siguiente:
|IR1(mA)|IR2(mA) |IR3(mA) |IR4(mA) |IR5(mA) |IG(mA) |
|6.13 |1.24 |-1.88 |4.89|3.12 |0 |
Usando los voltajes de cada nodo del circuito se puede saber el voltaje de cada elemento con solo restar el voltaje de sus terminales; osea hallar la diferencia de potencial. Se llega a obtener lo siguiente:
|VR1(V) |VR2(V) |VR3(V) |VR4(V) |VR5(V) |V1(V) |V2(V)|
|6.13 |2.75 |5.87 |1.88 |3.12 |12 |5 |
Las fuentes de voltaje son consideradas como activaspara la simulación. Por lo que la potencia para estas se halla con la formula P=IV. La potencia de las resistencias y de los voltajes se hallan gracias a la simulación.
|lemento|P = I2 *R (mW) |P = V2 / R (mW) |Absorbida/Entregada |
|V1 |73.6 |73.6|-73.6 |
|V2 |9.38 |9.38 |-9.38 |
|R1...
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