Informe
Páginas: 4 (902 palabras)
Publicado: 8 de abril de 2015
PROYECTO DE ELECTRÓNICA
Amplificador de dos etapas con MOSFET y BJT y acoplamiento capacitivo
Claudio Molina Mansilla, Estudiante
Lautaro Salazar, Profesor
Universidad de Concepción
DepartamentoIngeniería Eléctrica
Ing. Civil Electrónica
Electrónica - Sección 1- 543208
10 de Julio de 2009
1.- Introducción
Se espera desarrollar el diseño de dos circuitos amplificadores de dos etapascon acoplamiento capacitivo utilizando MOSFET de enriquecimiento y BJT, alternando los transistores para cada diseño, que logre , con . Todo esto para una frecuencia inferior de corte de 75 Hz en. Elcircuito debe alimentar carga . Hay que considerar un voltaje de alimentación de 12Vdc. Se pide además, de acuerdo a lo diseñado, e impedancias de entrada y salida.
2.- Diseño MOSFET - BJT
2.1.-Consideraciones Generales:
El MOSFET que se utilizará en ambos diseños es del tipo enriquecimiento de tipo N y el BJT también. Para el tipo de configuración de cada etapa hay que tomar en cuenta losdatos de diseño que se proponen. Primero nos dan una ganancia de corriente . Para cumplir con esta condición en cuanto a la configuración del circuito con BJT y el MOSFET se usará como rápida soluciónla disposición Colector Común y Drain Común respectivamente ya que éstas proporcionan una ganancia de corriente grande por cada etapa, eso si, con el costo que la ganancia de tensión será a lo más1. De aquí se deduce que los dos diseños propuestos atenuarán voltaje.
2.2.- Esquema propuesto:
Para establecer el procedimiento de diseño seguiremos la configuración mostrada en las figura 2,donde se pueden ver ambas etapas separadas por un condensador de acoplamiento.
Fig 1: Esquema propuesto para primer diseño.
La ventaja que nos da la disposición con acoplamiento capacitivo es quepodemos ver ambas etapas por separado para su diseño ya que la etapa anterior no interfiere en la polarización de la siguiente. De aquí se deduce que el cálculo de los puntos Q de cada etapa son...
Amplificador de dos etapas con MOSFET y BJT y acoplamiento capacitivo
Claudio Molina Mansilla, Estudiante
Lautaro Salazar, Profesor
Universidad de Concepción
DepartamentoIngeniería Eléctrica
Ing. Civil Electrónica
Electrónica - Sección 1- 543208
10 de Julio de 2009
1.- Introducción
Se espera desarrollar el diseño de dos circuitos amplificadores de dos etapascon acoplamiento capacitivo utilizando MOSFET de enriquecimiento y BJT, alternando los transistores para cada diseño, que logre , con . Todo esto para una frecuencia inferior de corte de 75 Hz en. Elcircuito debe alimentar carga . Hay que considerar un voltaje de alimentación de 12Vdc. Se pide además, de acuerdo a lo diseñado, e impedancias de entrada y salida.
2.- Diseño MOSFET - BJT
2.1.-Consideraciones Generales:
El MOSFET que se utilizará en ambos diseños es del tipo enriquecimiento de tipo N y el BJT también. Para el tipo de configuración de cada etapa hay que tomar en cuenta losdatos de diseño que se proponen. Primero nos dan una ganancia de corriente . Para cumplir con esta condición en cuanto a la configuración del circuito con BJT y el MOSFET se usará como rápida soluciónla disposición Colector Común y Drain Común respectivamente ya que éstas proporcionan una ganancia de corriente grande por cada etapa, eso si, con el costo que la ganancia de tensión será a lo más1. De aquí se deduce que los dos diseños propuestos atenuarán voltaje.
2.2.- Esquema propuesto:
Para establecer el procedimiento de diseño seguiremos la configuración mostrada en las figura 2,donde se pueden ver ambas etapas separadas por un condensador de acoplamiento.
Fig 1: Esquema propuesto para primer diseño.
La ventaja que nos da la disposición con acoplamiento capacitivo es quepodemos ver ambas etapas por separado para su diseño ya que la etapa anterior no interfiere en la polarización de la siguiente. De aquí se deduce que el cálculo de los puntos Q de cada etapa son...
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